数电-09-10半导体存储器和可编程器件案例分析.pptVIP

概述 3、存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。 9.3 存储器容量的扩展（P296-299） 当一片RAM(或ROM)不能满足存储容量位数(或字数)要求时，需要多片存储芯片进行扩展，形成一个容量更大、字数位数更多的存储器。 扩展方法根据需要有位扩展、字扩展和字位同时扩展3种。 10 可编程逻辑器件（不讲）数据输出 VPP Ai 1 0 0 编程校验 数据输入 VPP Ai 0 1 0 快速编程 高阻 X Ai X X 1 等待 高阻 X X X 1 X 输出无效 数据输出 X Ai X 0 0 读 D7 ~ D0 VPP A16 ~ A0 工作模式 表7.1.3 工作模式 片选 信号 输出使能 信号 编程选通 信号说明：EPROM的数据写入均由专用或通用编程器完成。 ※ ROM的读操作与时序图 （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号或输出使能信号无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； ※把各片芯片并联。即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号对应地并联在一起。每个地址对应多个芯片内部的相同位置的存储单元，扩展了每个地址的位数。 图7.2.10 1.位数（字长）扩展: ※ 2.字扩展方式（地址扩展）：把低位地址并联入各个芯片，高位地址经