形成p型氧化膜的金属,如Ni 通过电子空穴导电(Positive) 加入低价金属(如Li),金属阳离子空位减少,扩散速率减小使氧化速度下降。 加入高价金属(如Cr),金属阳离子空位增多,扩散速率增加使氧化速度增大。 * * 不同温度下金属氧化物的分解压力 空气中氧气的实际分压为21227.59 Pa Cr-O体系在1250K时挥发性物质的热力学平衡图 0 -4 -8 -12 -16 -20 -44 4 -36 -40 -28 -32 -16 -20 -12 -4 -8 0 -24 Cr(固) Cr(气) Cr2O3(固) CrO(气) CrO2(气) CrO3(气) -24 氧化物固相的稳定性—反应能否持续(产物角度) 金属氧化膜:决定高温腐蚀氧化速度和机理(腐蚀的表面性) 尖晶石结构 * 金属离子过剩型氧化物(n型半导体氧化物) Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- ei- ei- ei- ei- Zni2+ Zni2+ 氧化时,间隙阳离子、电子向界面迁移,吸收O2生成ZnO:
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