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第3章 场效应管放大电路 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 二、漏源电压对沟道的控制作用 (3) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 3.2 绝缘栅型场效应管 3.1 结型场效应管 3.3 场效应管的特点及主要参数 3.4 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 3.1 结型场效应管 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 (JFET) (MOSFET) 3.1.1 JFET的结构 1. 结构 ---N沟道 # 符号中的箭头方向表示什么？ 栅结正偏的方向 JFET d-漏极 --drain g-栅极--gate s- 源极--source 一、栅源电压对沟道的控制作用 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义： 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 3.1.1 JFET的工作原理 对于N沟道的JFET，VP 0。 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，使uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， uDS↑→iD 几乎不变。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 3.1.1 JFET的工作原理 三、栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f（ uGS 、uDS）,可用输两组特性曲线来描绘。 3.1.1 JFET的工作原理 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断。 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 一、输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 uGS=0V uGS=-1V 设：UT= -3V 3.1.2 JFET的特性曲线 四个区： 恒流区的特点： △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即： △ iD = gm △ uGS （放大原理） （a）可变电阻区（预夹断前）。 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 二、转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： 3.1.2 JFET的特性曲线 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 3.3 结型场效应管的特点及主要参数 一、特点： 制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极，抗辐射能力强，易于集成。 二、主要参数 直流参数 交流参数 极限参数 （1）夹断电压UP （或者UGS.off） UP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当uGS=UP时,漏极电流为零。 （2）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。 （4）直流输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。 3.3.1 直流参数 3.3 结型场效应管的特点及主要参数 （1） 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，