东南大学 半导体器件原理与工艺1.pptVIP

多晶硅的氧化 未掺杂多晶硅的氧化 氧化层的缺陷 表面缺陷： 斑点、白雾、发花、裂纹 体内缺陷： 针孔、氧化层错 氧化诱生堆垛层错 氧化过程?产生自填隙硅原子?集中并延伸?OSF * * * 热氧化原理 反应方程： Si(固体)+O2(气体)?SiO2 Deal-Grove 模型 Deal-Grove 模型 tsl :Boundary layer thickness k: Boltzmann constant Pg : Partial pressure of O2 hg: mass transfer caefficient tox : oxide thickness 留在大气层中的气流 第二个流量: 第三个流量: J3 = ksCi J1= J2 = J3 Deal-Grove 模型 利用Henry定律 Co=H ? Ps =H ? (kT ? Cs) Henry常数 Deal-Grove 模型 界面流量除以单位体积SiO2的氧分子数, 得到生长速率: 初始氧化层厚度为t0 Linear and Parabolic Rate Coefficients (B/A : linear rate coeff ) (B=parabolic rate coeff ) 氧化层足够薄时: 氧化层足够厚时: 热氧化 热氧化 含Cl