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第三章3节作业
1、半导体激光器产生激光输出的基本条件是哪些？
答：半导体激光器产生激光输出的基本条件是：
形成粒子数反转；
提供光反馈；
满足激光振荡的阈值条件。
2、比较发光二极管与半导体激光器，指出各自特点？
答：发光二极管特点：以自发辐射为基础，发普通荧光，发散角大，是无阈值的器件，发射功率一般为微瓦级。
半导体激光器特点：以受激辐射为基础，发相干（激）光，是有阈值的器件（电流大于阈值点，发射线性激光；小于阈值点为自发辐射光），发射功率一般为毫瓦级。
3、分别画出用发光二极管和激光器进行数字调制的原理图。
解：
4、分析DFB、QW-LD特点。
答：1、分布反馈激光器DFB
光反馈是由周期结构——布拉格相位光栅构成，光栅沿着整个有源层。代替FP—LD中的解理反射面。
它的特点是：工作温度变化(例如20—100℃)时DFB—LD有很高的单模稳定性，输出波长的温漂较小，由此可见，DFB—LD，尤其是掩埋异质结DFB—LD显示了优异的动态单纵模特性，阈值电流低(10-20mA)，调制速率高(GHz以上)等特点。
2、量子阱激光器QW-LD
夹于宽带隙半导体(如GaA1As)中间的窄带隙半导体(如GaAs)起着载流子(电子和空穴)陷阱的作用。这类似于一维势阱的量子力学问题，因而这类激光器叫做量子阱激光器。
它的特点是：具有更低的阈值电流(例如Jth＝65A／cm2，Ith＝0.35mA)，输出功率大(可达几百毫瓦)，线宽窄(可达250kHz)。
4、有一个GaAs—LD，工作波长870 nm，其纵模之间的间隔为278 GHz，GaAs的折射率，n1＝3.6，计算其光腔的长度及纵模数。
解：
3
第三章第三节作业
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