计算机逻辑电路第5章.pptVIP

2)在G和S之间加上反向偏置(UGS0): 如右图所示: 当UGS加大，P+N结耗尽层宽度加大， 向N型沟道延伸，使原来很窄的N型沟道 变得更窄。沟道电阻变大，漏极电流ID变小。 当UGS增加到某一个电压值时， 两边不断加宽的耗尽层就会把导电 的N型沟道完全堵塞，称为夹断， 电流ID基本为零。 此时的反向偏置UGS称为夹断电压, 用UGS(off)表示。 结型场效应管通过变化UGS的大小，改变沟道的宽窄，控制沟道电阻，从而达到控制漏极电流的目的。 5.3.1 BJT的结构及放大原理 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 5.3.1 半导体三极管 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 基区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 5.3.2 电流放大原理 发射区：发射载流子 基区：传送和控制载流子 集电区：收集载流子 5.3.2 三极管的电流放大作用 （1）电源EB向发射结提供正向偏置，UBE0。 发射结有明显的电流流过， 锗管正向电压应(0.2~0.3)V， 硅管正向电压应(0.6~0.8)V， (正向导通压降)。 （2）电源EC向集电结提供反向偏置，UCB0。 三极管(NPN为例)要实现放大的条件：如图所示 1、发射区发射多数载流子形成IE 1)发射区中多子—电子向基区扩散形成电流IEN 2)基区中多子—空穴，向发射区扩散形成电流IEP 3)两者的电流方向相同，形成发射极电流IE IE = IEN +IEP ≈ IEN E区掺杂的浓度远高于B区掺杂的浓度 (1) 发射区向基区扩散的电子少数在基区与空穴复合形成复合电流IBN ,绝大多数都能穿越基区到达集电结附近。 (2) 集电结反向偏置，基区和集电区的少子互向对方飘移，形成飘移电流ICB0，称为反向电流。 (3) 上已知：基区中多子—空穴，向发射区扩散形成电流IEP (4) 组成基极电流IB有： IB = IBN + IEP - ICB0 ≈ IBN - ICB0 (5-2) 3、集电区收集载流子形成集电极电流IC (1) 集结在集电结附近接收发射区发射过来的大量电子, 被EC正极吸引到集电区，流向EC的正极，形成ICN (2)上已知:基区和集电区中少子飘移，产生飘移电流ICB0 (3) 集电极电流IC为： IC = ICN + ICB0 = IEN - IBN + ICB0 (5-3) 2、基区复合形成基极电流IB 4、三极管电流分配关系： 已知：式(5-1)、(5-2)、(5-3)如下： IE = IEN +IEP (5-1) IB = IBN + IEP - ICB0 (5-2) IC = IEN - IBN + ICB0 (5-3) 而(5-2)+(5-3) 得 IB + IC = IEN +IEP 即： IE = IB + IC 分析可看出： 发射极电流IE等于集电极电流IC和基极电流IB之和 把三极管看成一个结点，根据基尔霍夫电流定律，则可写成： IE = IB + IC 5、电流放大倍数 将IC和IB的关系写成：