成都理工大学应用物理07级半导体期末试题..docVIP

成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学年第 二 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 20 年 月 日 课程成绩构成：平时 30 分， 期末 70 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人签名 得分 签名 可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C，真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的k0T=0.026eV，SiO2相对介电常数=3.9，n型100Si， A*=2.1×120A/(cm2·K2)，N C=2.8×1019cm-31019 cm-3 一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共 19题，每空1 分） 半导体Si是（ ）结构；导带和价带间的能隙称为（ ）；Si, Ge为（ ）能隙半导体。 从价带中移出一个电子，会生成（ ）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。 掺杂一般是为了（ ）半导体的电导率，如向Si中掺入（ ）可以得到n型半导体；掺（ ）可以得到p型半导体。 如同时向硅Si中掺入浓度为ND的磷P和浓度为NA的硼B且全部电离，设NAND，则此时Si为( )半导体。 对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（ ）,这是由于晶格散射起主要作用。到杂质浓度高到1018cm-3以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反而（ ），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（ ）起主要作用。 光照一块p型半导体，产生非平衡电子Δn和非平衡空穴Δp，则把非平衡电子Δn称为（ ），而把非平衡空穴Δp称为非平衡多数载流子。并且非平衡电子浓度Δn（ ）非平衡空穴浓度Δp； 金是有效的（ ），在半导体中引入少量的金，就能够显著（ ）少数载流子的寿命； 对于空穴陷阱来说，电子俘获系数rn( )空穴俘获系数rp。对于电子陷阱来说，费米能级EF以上的能级，越（ ）EF，陷阱效应越显著； 稳定注入，样品足够厚情况，非平衡载流子从表面向内部以（ ）衰减，用LP标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为（ ）； 爱因斯坦定律描述了同一种载流子的迁移率和（ ）之间的关系，如果扩散系数越大，那么迁移率也（ ）； 连续性方程式是描述少数载流子随空间和时间变化所遵守的方程，同时考虑了（ ）、扩散运动、（ ）以及其他外界因素引起单位时间、单位体积少数载流子的变化； pn结的接触电势差和pn结两边的（ ）、温度、材料的禁带宽度有关系。在一定温度下，突变结两边掺杂浓度越高、接触电势差VD越大；禁带宽度越大，VD也越（ ）；pn结中，耗尽区主要在（ ）一边。 半导体的功函数定义为真空能级E0和（ ）之差，n型硅半导体的功函数（ ）p型硅半导体的功函数； 金属和p型半导体接触，如果金属功函数大于半导体功函数，则称它们接触后形成的空间电荷区为（ ）； 金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将（ ），空间电荷区宽度将（ ）。 在实际工艺中，实现欧姆接触主要采用（ ）原理。因此，制造欧姆接触最常用的办法是用（ ）半导体与金属接触； 对于p型半导体形成的MIS结构，当半导体表面处于深耗尽状态时，此时耗尽层宽度（ ）半导体表面处于强反型状态的耗尽层宽度； 平带电容和半导体掺杂浓度以及（ ）有关。若绝缘层厚度一定，掺杂浓度越大时，平带电容将（ ）； 本征吸收的条件是光子能量必须（ ）禁带宽度Eg。光电池的光生电流IL和由于光生电压产生的正向电流IF方向（ ）。 n型半导体的霍耳系数为（ ）。对于迁移率越（ ）的半导体，越容易观察到霍耳效应； 二、简答题（ 共30分） 1、说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？（8分） 2、写出下面能带图代表的半导体类型，掺杂程度。（12分） (a) (b)