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LED 椰风海韵!小卡畔你同行! 浅谈我对LED的认识 品保部 王运动 2008/01/23 目录 晶片的保存环境 晶片电压大全 温度升高对LED的影响 LED的技术参数 可见光(380~760nm) 晶片的几种不良介绍 晶片的特性分布 信赖性实验介绍 晶片的保存环境 保存温度:20~25℃为佳 湿度:65%±5% 最佳保存期限:一年内为佳 晶片电压大全 传统(GaP,GaAsP):2.0~2.6V 三元(AlGaAs):约1.7~2.3V 四元(AlGaInP):约1.9~2.4V 紫光,蓝光,纯绿光(InGaN):约2.8~3.8V 红外线(GaAs, AlGaAs ):约1.0~1.65V 温度升高对LED的影响 传统(GaP,GaAsP):温度升高波长偏长,电阻降低,电压(VF)偏低。 三元(AlGaAs):同上 四元(AlGaInP):同上 紫光、蓝光、纯绿光( InGaN) :波长偏短,电阻降低,电压(VF)偏低。 LED的技术参数 波长(nm) 光强(mcd) 光通量(lm) 正向电压VF(V) 漏电流IR(uA) 功率Po(mW) 色温(色坐标x,y轴) 波长(nm) WLD:主波长(可见光) WLP:峰值波长(红外线) WLC:中心波长 光强、光通量 光强I :來自於一個源點上的發射,經過一個立體角單位的流量 。 光通量? :能量(Q)由一個表面流入,流出或流向一個表面的流量 。 VF、IR、功率 VF:正向电压 漏电流IR:业界标准(晶片IR≤1uA;LED IR≤10uA) 功率Po(mW):一般针对红外线而言。 色温(色坐标x,y轴) 色温:指的是光波在不同的能量下,人类眼睛所感受的颜色变化 。 可见光(380~760nm) 紫色. . . . . . . . . . . 低於 450 nm 藍色. . . . . . . . . . .450 ~ 500 nm 綠色. . . . . . . . . . .500 ~ 570 nm 黃色. . . . . . . . . . .570 ~ 600 nm 橙色. . . . . . . . . . .600 ~ 620 nm 紅色. . . . . . . . . . .620 ~ 700 nm 晶片的几种不良介绍 拔垫:晶片本身不良,即合金不良。 打穿:一般为焊线参数不当所至(如:Power过大) 闸流体SCR :一般发生在微小电流5~25uA,表现为电压过高。 晶片(chip)的特性分布 晶片特性:相邻晶片的光电特性比较接近,大圆片中间光电特性分布比较均匀,边缘离散性较高。 信赖性实验 恒温恒湿实验 高空跌落 冷热冲击 端子抗折弯 老化实验 过锡实验 热测 恒温恒湿实验 试验目的:验证产品在某种环境下的信赖 性 试验条件:湿度:95%;温度:85℃;时间:100H;点亮、未点亮均可。 试验设备:恒温恒湿机 高空跌落实验 试验目的:验证产品的抗摔力度 试验条件:从2m高处自由落下 试验设备:远方LED300 冷热冲击 试验目的:验证产品的抗冷热应力的能力 试验条件:-40 ℃ +85℃ 各30分钟一个轮回 试验设备:冷热冲击机 端子抗折弯 试验目的:验证PIN脚的抗折弯能力 试验条件:常温 试验设备:手动折弯、LED300 老化实验 试验目的:验证产品老化1000H时衰减率是否在30pa内。 试验条件:温度:15~25℃;恒流:20mA 试验设备:老化板、万用表、LED300测试仪、温湿度计。 过锡实验 试验目的:模拟客人的使用条件,验证产品的可靠性。 试验条件:280℃以下/5秒内 试验设备:锡炉、测温计 热测 试验目的: 试验条件: 试验设备: * *
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