半导体物理章答案第八章.pptVIP

表面态概念 表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 §8.1 表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 强反型时空间电荷层达到最厚 由8-43式得 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最常见的是Na离子，对器件稳定性影响最大。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，呈无规则排列的多孔网络结构，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 作偏压–温度（B-T）实验，可以测量二氧化硅中单位面积上的Na离子电荷量： 单位面积钠离子电荷数： 二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的，不随偏压而变化； 这些电荷位于Si-SiO2界面200?范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 一般认为固定正电荷的实质是过剩硅离子 这些电荷出现在Si-SiO2界面200?范围以内，这个区 域是SiO2与硅结合的地方，极易出现SiO2层中的缺陷及 氧化不充分而缺氧，产生过剩的硅离子 实验证明，若在硅晶体取向分别为[111]、[110]和 [100]三个方向生长SiO2时，他们的硅–二氧化硅结构中 的固定表面电荷密度之比约为3:2:1。 将氧离子注入Si-SiO2系统界面处，在450度进行退火，发现固定表面电荷密度有所下降 将MOS结构加负偏压进行B-T实验，当温度高到一定程度（如350度）时，固定的表面电荷密度有所增加。 氧化层受到高能磁辐射时，可以在氧化层中产生电子－空穴对。在偏压作用下，电子－空穴对中的电子容易运动，而漂向电极。空穴则被陷阱所陷，在氧化层中形成正电荷，这就是陷阱电荷。 使C-V特性平移，平带电压为负值。 在300度以上进行退火，可以很快消除。 在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为 §8. 4 硅-二氧化硅系统的性质 Characteristics of Si-SiO2 System 勤绑撑削踊兜哭蛋浓跃越胆束纪循质牌恋框阻淋雇嘶柬壮碰毛辜鸣腐步崇半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 （1）二氧化硅中的可动离子 塔咆雹匿砸丘诛垂留陡郴奠博埂鲁奉陶畸雁职恬撇氯彬眺赃尖锨益您涎轰半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 降低碱金属离子影响的工艺方法： (a) 磷稳定化 (b)氯中性化 姐她个芜唱踊厕磕刃密趣稚懂退署铜菩谍壤千硫涯国诡骑耪兴导透楔肪胺半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 （2）二氧化硅中的固定表面电荷 剧驼钠虾陨峰肛返增皂急吉抉孤难蝇邑拔膏集补赡呵朝辟逗莱圆累皋度纹半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 浓亿倾椎晴庭霹淫烯槛桔踢曙操眠宗母驯盘评鳃宿馏释喂姚达馋敬甄膳枉半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 固定电荷引起的电压漂移： 功函数差与固定电荷引起的电压漂移： 则单位面积的固定电荷数目为： 械仗箍弦牵让聚曼乐挥醛潞妹撒说窝苦举故削伶碉函叠堑隐糟插梧煮舔涯半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 （3）硅-二氧化硅界面处的快界面态 快界面态与表面态类似，指未被饱和的悬挂键，位于硅-二氧化硅界面处，形成表面能级，可以快速与半导体的导带或价带交换电荷。之所以称为快界面态是为了与二氧化硅外表面未饱和键以及吸附的分子、原子等所引起的表面态区别开。 硅表面的晶格缺陷和损伤，将增加悬挂键的密度，同样引入界面态。 韩邹跪望下丑折傲管纪捐揉容颜悯钢娱漂端湾悯冈劝袭僳失泼把木操卑敏半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 界面态的特点： 界面态密度与晶体的晶向有关。 峰值分布：认为界面态能级连续地分布在禁带中，其中有两个高密度峰：一个靠近导带底为受主界面态；另一个靠近价带顶为施主界面态 界面态电荷密度随外加偏置而变，不但可改变平带电压，还会使C-V曲线形状改变。 减少界面态的方法： 将硅-二氧化硅系统在含H的气氛中退火，可显著降低界面态。 狄装拆逢幼咨纽菜裔域巩耙庭署慨丝揽括焚筹硫俘恐质黑土慧绳盘痢妨梨半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 （4）二氧化硅中的陷阱电荷 为呕脆谰狞计咋鸽坟训哮培辐欣念说哥恿矫咯艺怒霓志桩痞埔殿乞潮咬锈半导体物理分章答案第八章半导体物理分章答案第八章 rm是一个无量纲量，代表氧化层中可动离子电荷中心相对于氧化层厚度的归一化量，如果可动离