第一章能带理论-2剖析.ppt

0.40 0.44 0.48 2 4 6 8 10 12 晶格常数 a(nm) 能量 E(eV) X1c L1c ?15c ?1c 压力显 著改变 能带结 构 ?－SiC 的能隙与晶格常数 a 的关系 GaN, AlN 的晶格结构和能带 III族氮化物： GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN等 禁带宽度范围： 红、黄、绿、蓝和紫外光 晶格结构： 闪锌矿和纤锌矿 GaN晶体的能带特点 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对纤锌矿和闪锌矿结构 AlN晶体的能带特点 对纤锌矿结构 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对闪锌矿结构 间接带隙 ?导带极小值在 X 点，价带极大值在 ? 点 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k)。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 ●有效质量的概念及物理意义。 概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 ●两种载流子的比较 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 ●直接带隙半导体和