晶体管原理-C32讲义.ppt

引 言 1. 晶体管按工作原理分类: 3. 与双极型晶体管相比, FET的优点: 1) 输入阻抗高; 2) 功耗小; 3) 噪声系数小; 4) 温度稳定性好; 5) 抗辐射能力强 第一节 MOSFET的基本特性 MOSFET的阈值电压 (2)理想MOS结构 （3）实际MOS结构与平带电压 之二--漏源穿通击穿电压（VPT） L 较短，ρ衬 较高时，漏衬间尚未雪崩击穿，但漏 pn 结耗尽区已扩展到与源区相连，称漏源穿通击穿（VPT），VDS继续↗，源 pn结正偏，大量电子进入沟道，被强电场扫入漏区，形成较大的 ID。 MOSFET直流参数与温度特性 1）阈值电压VT 2）饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOSFET，VGS=0（导通），VDS足够大时的漏电流饱和值称为饱和漏极电流 IDSS。 3）通导电阻Ron MOSFET的交流小信号参数 1）跨导gm ——漏源电压VDS一定时，漏电流的微分增量与栅源电压微分增量之比。 3）电压放大系数 推导Cgs和Cgd的表达式采用准静态近似法 2）寄生参数 3）频率特性 跨导截止频率 最高工作频率 第四章 场效应晶体管 MOSFET的开关特性 MOS IC优点:功耗小、集成度高 第四章 场效应晶体管 2) 单沟道MOS