第3章双极型晶体管及其基本放大电路汇总.ppt

校长办公室 第3章 双极型晶体管 及其基本放大电路 3.2.3 晶体管的电流放大作用 3.2.4 晶体管的共射特性曲线 iB是输入电流，uBE是输入电压。 iC是输出电流，uCE是输出电压。 它是以IB为参变量的一族特性曲线。 输出特性曲线可以分为三个区域: 晶体的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数 ②共基极组态直流电流放大系数 ① 集电结的反向饱和电流ICBO ICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流。 在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取?iC/?iB。 ② 共基极交流电流放大系数? 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 (1) 集电极最大允许电流 ICM pC= iC×uCE ，PCM表示集电结上最大允许耗散功率。 (3) 反向击穿电压 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。 1.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和 基极，O代表第三个电极E开路。 3.2.7 晶体管的型号及封装 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 双极型晶体管的型号和主要参数 3.3.1 放大的概念 3.3.2 放大电路的性能指标 放大电路的性能指标是衡量其性能优劣的标准。 放大电路的性能指标主要包括放大倍数（增益）、输入电阻、输出电阻和通频带等。 1. 放大倍数(增益) 输出信号在电压或电流的幅度上会得到放大，即输出功率会有所放大。 放大电路的增益包括电压增益、电流增益、互阻增益、互导增益和功率增益。 2. 输入电阻 Ri 输入电阻是从放大电路的输入端看进去的等效电阻。输入电阻是描述放大电路从信号源吸取电流大小的参数。Ri大，放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。 3. 输出电阻Ro 3.4.1 共射基本放大电路的组成 3. 静态和动态 晶体管基本放大电路的分析包括静态分析和动态分析。分析放大电路时，必须根据先静态、后动态的原则。 1. 静态分析 直流负载线的确定方法： 交流负载线确定步骤： (4) 放大电路的最大不失真输出幅度 (5) 输出功率和功率三角形 【例3.5.1】 电路如图3.5.1所示，设VCC＝15V，Rb1=60kΩ、Rb2=20k Ω 、Rc=3k Ω 、Re=2k Ω 、Rs=600 Ω ，电容C1、C2和Ce都足够大，?＝60，UBE=0.7V，RL=3 kΩ 。试计算：(1) 电路的静态工作点；(2) 电路的中频电压放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3) 若信号源具有Rs＝600的内阻，求源电压放大倍数 。 【例3.5.2】已知C1、C2、Ce的容量足够大，VCC=12V，UB=2.7V，Rb2=2.7kΩ；UBEQ=0.7V、β=100、rbb‘=200Ω。 3.6 晶体管三种组态基本放大电路 晶体管有三种组态：共发射极、共集电极和共基极。 根据晶体管在电路中的接法，基本放大电路也有三种组态：共射、共集和共基组态。 本节首先介绍晶体管三种组态基本放大电路，然后对三种组态基本放大电路进行性能比较。 3.6.1 共射基本放大电路 【例3.6.1】设VCC＝12V， Rb=400k Ω 、 Rc1=2kΩ、 ?＝50， Rc2=2k Ω 、 RL=2 kΩ、 UBE=0.7V ，电容C1、C2和C3都足够大。试求：1. 画直流通路、交流通路和微变等效电路图；2. 求静态工作点；3. 计算中频电压放大倍数；4. 计算输入电阻Ri和输出电阻Ro；5. 定性说明若将电容开路，对电路会产生什么影响？ 【解】 (1) 画出电路的直流通路、交流通路和微变等效电路。 (2) Ce对电压放大倍数的影响 动态分析 3.6.4 三种组态晶体管基本放大电路的性能比较 由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。 注意：因PNP 晶体管和NPN晶体管供电电压的极性不同，因而同一种失真在波形上出现的位置不同；此外，集电极输出，发射极输出信号失真的部位也不同。 晶体管低频h参数模型适用于放大电路的低频段和中频段。但放大电路的低频段微变等效电路和中频段微变等效电路不同，低频段微变等效电路中，耦合电容和旁路电容器应予以保留。 注意图中画的是载流子的运