第2章_半导体与PN结解说.pptVIP

三、半导体的晶格结构 晶体有哪5种常见的晶体结构，都有哪些典型的元素？ 什么是晶体的各向异性？表现在哪些方面？ 四、半导体的导电性 影响半导体材料导电性能的因素有哪些？ 能带中的几个基本概念：允带、禁带、空带、满带、半满带 半导体能带中的几个概念：价带、导带、导带底、价带顶、禁带宽度。 简述空穴的概念 杂质和缺陷对导电性能产生影响的机理是什么？ 常见杂质的种类有哪些？ 施主能级与受主能级的位置。 从能带角度分析为什么掺入施主或受主杂质后半导体的导电性能能大大加强？ 什么是杂质的补偿作用？ 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 缺陷的密度 表面状态 外部条件（外界气氛） 半导体二极管的伏安特性 ● —— 本章内容 第二节：P-N结 1 P-N结的形成机理 了解PN结的形成及其制作方法，杂质分布。 2 P-N结的单向导电性 了解P-N结的内电场、空间电荷区以及耗尽区的概念； 掌握P-N结加正向电压和反向电压时的导电情况； 了解半导体二极管的伏安特性。 2.2 P-N结 将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。 扩散电流 N型半导体中的电子浓度远大于P型半导体中电子的浓度；P型半导体中空穴的浓度远大于N型半导体中空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上因载流子的浓度差而发生了扩散运动。 随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的，所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场，方向是从N区指向P区，称为内电场，该区域称为空间电荷区。 内电场 内电场 空间电荷区 漂移运动 内电场 漂移电流 内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。 漂移电流的方向正好与扩散电流的方向相反，扩散运动越强，内电场越强，对扩散运动的阻碍就越强；内电场越强，理应漂移电流就越大。因少数载流子的浓度与温度有关，在一定的温度条件下，少数载流子的浓度一定，所以漂移电流的大小就一定，不会随内电场加大而继续加大。从而在某个温度条件下，扩散和漂移会达到动态平衡，扩散电流和漂移电流相等。 内电场 扩散电流 漂移电流 扩散电流 漂移电流 可以用下列箭头来描述这一过程 因浓度差 多子 扩散运动 杂质离子形 成空间电荷区 空间电荷区 形成内电场 促使少子漂移 阻止多子扩散 达到 动态平衡 从N区指向P区的内电场为P-N结。因为离子薄层中的多数载流子已经扩散尽了，缺少多子，所以这个离子薄层也称为耗尽层。 所以PN结有许多别名，例如离子薄层、空间电荷区、耗尽层、内电场等等。 P-N结最重要的特性是单向导电特性，先看如下实验。 实验：P-N结的导电性。按如下方式进行P-N结导电性的实验，因为PN结加上封装外壳和电极引线就是二极管，所以拿一个二极管来当成P-N结。P区为正极；N区为负极。对于图示的实验电路，（表示二极管负极的黑色圆环在右侧。此时发光二极管导通而发光。 电源正极 二极管负极黑色圆环标记在右侧 发光二极管发光 P-N结的单向导电性 此时发光二极管不发光，说明P-N结不导电。这个实验说明P-N结（二极管）具有单向导电性。 将P-N结左右翻转180?，二极管负极接电源正极，黑色标记在左侧。 发光二极管熄灭 P-N结具有单向导电性，若P区的电位高于N区，电流从P区流到N区，P-N结呈低阻性，所以电流大；若P区的电位低于N区，电流从N区流到P区，P-N结呈高阻性，所以电流小。 如果外加电压使： P-N结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； P-N结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 下面对PN结的单向导电性进行解释。 1、P-N结加正向电压时的导电情况 外电场 如图，外加的正向电压有一部分降落在P-N结区，方向与P-N结内电场方向相反，削弱了内电场。有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的空穴将源源不断的流向N区，而Ｎ区的自由电子亦不断流向P区，这两股载流子的流动就形成了P-N结的正向电流。 内电场 内电场 IF 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，P-N结呈现低阻性。 PN结加正向电压时的导电情况 2、 P-N结加反