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MOS结构准静态C－V特性测量一．实验目的1. MOS结构低频C-V特性，是确定二氧化硅层厚度界面态密度参数（简称准静态C－V特性）测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。?掌握并了解MOS结构及C-V方法测量原理。2.学会X-Y记录仪的使用方法，并测出高频下的C-V特性曲线。通过测量MOS结构低频C-V特性，确定二氧化硅层厚度界面态?。二 实验原理1.MOS结构及其C-V特性 式中是金属电极上的电荷面密度,A是电极面积。GQ通过对该电容的C-V特性的测量分析，就可以了解半导体表面的各种状态，如SiO2-Si界面的各种电荷的性质，测定Si的许多重要表面参量和体参量（如杂质浓度，少子寿命等）。本实验是通过对C-V特性的测量分析计算出氧化层中固定的电荷密度。2.理想MOS的C-V特性所谓理想情形，是假设MOS结构满足以下条件：（1）金属与半导体间功函数差为零；（2）SiO2绝缘层内没有电荷；（3）SiO2与半导体界面处不存在界面态。偏压VG一部分在降在SiO2上，记作Vox ；一部分降在半导体表面空间电荷区，记作,即Vs,即：Vs=0时，半导体表面能带平直，称为平带。平带时的MOS电容称为平带电容，记作CFB。对于给定的MOS结构，归一化平带电容由下式给出[1]：3.实际的MOS的C-V特性由于SiO2中总是存在电荷（通常是正电荷），且金属的功函数Wm和半导体的功函数Ws通常并不相等，所以VFB一般不为零。若不考虑界面态的影响，有4.氧化层中正电荷的计算通过以上分析，我们看到氧化层中正电荷的影响（在这里我们只笼统的讲是正电荷）。实际上它包括氧化层中固定电荷，Si-SiO2界面的界面态以及靠近Si-SiO2界面的可动离子正电荷，后者的密度可通过BT实验-正、负偏压温度处理方法来进行测量，这不在本实验的内容。关于计算氧化层中正电荷密度的方法，在这里我们介绍二种。第一种方法是根据高频CTG-1型高频测试仪测出的C-V特性曲线。然后查表得出平带电容，这样在C-V曲线上就能找出平带电压VFB，再代入（9）式，就可以计算出Qfc来了。具体方法如下： 1. 计算功函数差2. 查表求CFB 3.在C-V曲线上求出VFB4.计算三 测量步骤本实验采用E4980A c-v测试仪进行测量。安装NetFx_IOLibSuite_16_1_14931.exe，安装driver_ivicom_e4980a_1_0_11_0_7_3_07.msi，用USB线将电脑与E4980A连接，打开E4980A按图1中1处的Refresh All，确认图中2处的2个？变为√ 1. 确认图1中3处的Firmware为Rev. 2.20。否则按e4980a_firmware_update.pdf内说明升级固件。2. 打开E4980_DataTransfer_0100.xls， 将1处改为USB，在2处输入图1中4处的那串字母与数字。点击Handshake，在3处应该是出现OK。3. 设置E4980A，按Meas Setup键出现如图2的设置界面（在数字键的左下，方向键的正下，如果操作无反应，观察图2右下是否出现RXX的3个英文，试着按屏幕下方最右边的Local/lock键，如果不行就重启E4980A）。 将FUNC改为Cp-D，将FREQ改为1MHz，将LEVEL改为100mV，TRIG改为MAN，按屏幕左边的DC Bias，确认仪器右边DC Bias下的灯是亮的。4. 按Display Format（在Meas Setup左边），再按Meas Setup，按屏幕中右边显示LIST SETUP对应的按钮，出现如图3的设置界面。将FREQ[Hz]改为BIAS[V]（右边一排没有，按下MORE对应的键）在1后面，BIAS[V]下面输入-5，然后按10下NEXT PAGE对应按钮，在101后面，BIAS[V]下面输入5，按一下PREV PAGE的对应按钮，再按下FILL LINEAR对应的按钮。5. 按Display Format按钮，按右边LIST SWEEP对应的按钮，按下屏幕左边的Trigger键，E4980A就开始自动测量，从-5V测到5V。测量结束后回到电脑上的E4980_DataTransfer_0100.xls，在图5中的1处设置测试数据表名（注意不能重复命名），点Load Data，会多出一个选项卡，测试数据就存在里面。6.根据测得的数据画出C-V测量曲线，并根据曲线求Cox出值，VFB值。oxCFBV7.将Cox值，VFB值与Vms值代入Nfc公式，便可求出固定电荷Nfc密度了。四 数据处理　　　　Point#BIAS[V]CpD　1-54.19392E-090.0541721　2-4.94.19205E-090.0541588　3-4.84.19028E-090