新一代太阳电池的发展110108课件.ppt

化合物多能带叠层太阳电池 材料科学的发展，特别是MOCVD技术，极大的推动了多结叠层电池的发展，在此之前，这种电池只能存在于理论和设想中。迄今而至，在非聚光条件下，三结电池的世界纪录由NREL保持，采用GaInP/GaInAs/Ge体系，转换效率达到了32%； 二结电池的世界纪录由日本能源公司保持，采用GaInP/GaAs体系，转换效率达到30.3%。 在聚光条件下，NREL的GaInP/GaInAs/Ge和GaInP/GaAs/GAInAs电池分别在240和140倍聚光条件下，效率分别高达40.7%和40.8%，Fraunhofer ISE的GaInP/GaInAs/Ge在454倍聚光条件下效率高达41.1% （Dr. A. Bett）。 化合物多能带叠层太阳电池 夏普公司2009年10月22日宣布,由于应用了一种创新的层形成技术,该公司长期致力研发的3结化合物太阳电池实现了35.8％的高光电转换效率。 夏普公司发布的新闻公报说,化合物太阳电池不同于现在主流的以硅为材料的太阳电池.它以铟等2种以上元素组成的化合物作为材料,形成光吸收层,其光电转换效率高于硅晶体太阳能电池,主要应用于人造卫星。 全硅叠层太阳电池 新南威尔士研究组将全硅叠层技术定为向第三代光伏技术进军的两个课题之一。之所以要选择硅是因为硅的原料丰富而且制备技术成熟。 按照新南威尔士团队的设想，他们准备用块体的硅材料做衬底，然后通过量子点技术，在上面生长带隙分别为2 eV和1.5 eV的量子点电池，从而实现多能带结构。最初的工作是在一维的硅量子阱上进行。研究者发现，当薄层为1 nm左右时，带隙可以提高到1.7 eV，接着他们又做了2 nm的量子点超晶格结构，带隙同样可以提高到1.7 eV。这表明，采用三维的纳米结构可以允许更大的加工容差。 现在正在Si/SiO2体系以及Si1-xCx/SiC体系进行量子点结构的研究，该团队也在氮化硅体系和Ge/SiO2体系进行理论模拟和实验。在2008年年度报告报导的结果中，他们已经在石英衬底上成功制备了Si的量子点，做出开路电压为493 mV的SiO2和83 mV的SiC量子点异质结太阳电池。 单结晶硅电池效率29% (1.1 eV) 双结：42.5% (1.7- 1.1 eV) 三结：47.5% (2 -1.5 -1.1eV) 热载流子太阳电池 当能量超过带隙的光子被价带电子吸收后，价带电子将跃迁到导带，由于吸收的能量足够大，大于带隙多余的那部分能量成为载流子的动能，光子的能量越大，则载流子的动能就越大。这些热载流子在一般情况下将与晶格、缺陷或者其他载流子发生碰撞进行能量交换，最终达到平衡状态。这些热载流子的动能将最终消耗，主要是以发热的形式耗散掉。 如果能在热载流子的动能消耗完之前将热载流子提取出来，则可以产生较高的开路电压，从而把能量更大限度的提取出来，这就是热载流子电池的出发点。这种热载流子电池的极限效率可以达到很高，在非聚光情况下甚至可以超过65%，而结构相对于其他电池而言，比如多能带叠层电池，要简单得多。 热载流子太阳电池 热载流子电池必须经过两个很严格的考验。首先，必须在热载流子“变冷”之前将之提取出来，这个时间极短，在一般的情况下约为1 ps到1 ns之间，甚至更短。换句话说，必须想办法将热载流子变冷之前的时间延长。 其次，必须设计一个专门的电极收集热载流子，以避免热载流子在于“冷”金属电极之间的接触中消耗能量。 热载流子太阳电池 Ross和Nozik在1982年最早为热载流子电池进行系统分析和模拟。此后一直到1993年，Arent等人才在多量子阱和超晶格器件中观察到热载流子“变冷”速度减慢。 另一方面，1997年，Hanna等人制备热载流子电池的尝试失败，人们才认识到选择性电极对于热载流子电池的重要性。Würfel 在1997年提出用具有很高带隙并且导带和价带都很窄的材料作为选择性电极材料，另外的一种方法则是量子点技术制备选择性电极。 新南威尔士的研究者对后者进行了理论模拟，结果表明随着带隙增大，电导率曲线将出现一个个尖峰，这说明了遂穿效应的产生，目前他们正在进行实验验证。 多电子-空穴对太阳电池 多电子-空穴对电池提高效率的出发点与热载流子电池基本是一样的，都是想尽可能的利用太阳光中的高能量光子。不同点在于，当热载流子产生以后，热载流子电池想办法把这些热载流子传递出去，而多电子-空穴对电池则是想办法让这些热载流子产生更多的载流子。 这个想法由来已久，早在1972年就由Deb和Saba提出。直到1994年Kolodinski等人又将这个理念重新拾起。科学家已经证实了多电子-空穴产生的可行性，1990年，Barnham和Duggen发现可以采用多重量子阱结构（MQW : Mult