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浙江大学交通工程研究所 电子线路 王云峰 yunfengwang@xmu.edu.cn 第2章 晶体三极管 三极管的工作模式 三极管的伏安特性曲线 三极管的小信号模型 三极管的分析方法 三极管的应用 晶体三极管结构 三极管放大模联接方式 电流传输方程 三极管放大模式工作原理（3） 三、电路模型（1） 1、指数模型： 发射结： 三极管放大模式工作原理（3） 三、电路模型（2） 2、简化电路模型 温度特性 ： （1）、 （2）、 （3）、 三极管饱和工作模式 三极管截至工作模式 三极管概述部分小结 1、三极管结构、电路符号、非对称结 2、三极管的三种工作状态的条件 3、放大模式的工作原理及模型 电子线路 * 厦门大学现代电路与系统技术研究所 （1）发射区比基区、集电区掺杂浓度大。 （2）集电结面积比发射区的大。 （3）基区薄(几um——几十um),高频几um，低频几十um 因此发射区、集电区并不是对称的。 三极管三种工作模式 发射结正偏，集电结反偏。 放大模式： 发射结正偏，集电结正偏。 饱和模式： 发射结反偏，集电结反偏。 截止模式： 三极管内部结构特点 1）发射区高掺杂。 2）基区很薄。 3）集电结面积大。 BJT的电流分配与放大作用： 1．BJT内部载流子的传输过程: 使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是： ??????? a.发射结加正向电压(正向偏置):Vbe0 N N P VBB RB VCC RC  b.集电结加反向电压(反向偏置):Vbc0 IE = IEN+ IEP IEP IEN N N P VCC RC VBB RB (1)发射区向基区注入电子: 发射区的多数载流子扩散到基区，形成电流IEN 基区空穴也扩散到发射区形成电流IEP 总发射极电流 IE= IEN+IEP IE ≈IEN 三极管内部载流子的运动 ICBO ICN1 IC=ICN1+ICBO ?ICN IE = IEN+ IEP IEP IEN N N P VCC RC VBB RB IB IBN 三极管内部载流子的运动 模拟电子技术基础 (2)电子在基区中的扩散与复合 电子在扩散过程中又会与基区中的空穴复合形成电流IBN。 基区和集电区的少子都要向对方漂移，形成一个反向饱和电流ICBO ，受温度影响很大。 IB=IEP +IBN –ICBO = IEP +(IEN –Icn1)–ICBO ICBO ICN1 IC=ICN1+ICBO ?ICN IE = IEN+ IEP IEP IEN N N P VCC RC VBB RB IB IBN 三极管内部载流子的运动 模拟电子技术基础 (3)集电区收集扩散过来的电子： 集电结所加的是反向电压，可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流ICN。 集电极电流 IC=ICN1+ ICBO ≈ICN1 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 发射区掺杂浓度基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。 三极管特性——具有正向受控作用 即三极管输出的集电极电流IC ，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。 注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。 V1 N P P + P N N + V2 V2 V1 + - + - - + - + IE IC IB IE IC IB 晶体管有三种工作组态（共E、共B、共C） 公共端：晶体管工作在放大区，作为放大器一定有一个信号的输入端，一个信号的输出端， 则第三端就是公共端。