电子线路3(免费阅读).pptVIP

浙江大学交通工程研究所 电子线路 王云峰 yunfengwang@xmu.edu.cn 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（1） 晶体管伏安特性曲线： （1）各极电压与电流之间的关系-------外部特性 （2）各极电压：VBE、VCB、VCE，由于VBE + VCB = VCE，所以两个是独立的 （3） 各极电流：IE、IB、IC。由于IB + IC = IE，所以两个是独立的。 输入特征曲线：以输出电压为参变量，描述输入电压与电流关系的曲线族 输出特征曲线：以输入电压为参变量，描述输出电压与电流关系的曲线族 共射连接伏安特性曲线： 输入特征曲线： 输出特征曲线： 转移特征曲线： 放大特征曲线： 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（2） 一、共E输入特征曲线 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（3） 二、共E输出特征曲线（1） 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（3） 二、共E输出特征曲线（2） 1、放大区（active region） （3）在大范围内，当 很大或很小时，曲线较密 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（3） 二、共E输出特征曲线（3） 2、截止区： 发射结反偏，集电结反偏 工程上： 严格上： 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（3） 二、共E输出特征曲线（4） 3、饱和区 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（3） 二、共E输出特征曲线（5） 4、击穿区 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线（4） 四、极限参数 3、集电极最大耗散功率 4、安全工作区 2.4 小结 1、输入特征曲线、基区宽度调制效应 2、输出特征曲线、放大区、饱和区、截止区、击穿区 3、极限参数 4、安全工作区 2.5 晶体管小信号模型 2.5 晶体管小信号模型 晶体管小信号模型小结 1、熟练掌握晶体管小信号模型的结构 2、小信号模型中各个参数的计算公式 2.6 晶体管电路分析方法（1） 一、典型的晶体管放大电路 2.6 晶体管电路分析方法（2） 二、图解法 （1）静态工作点 （2）交流分析 （3）非线性失真 （b）截至失真 2.6 晶体管电路分析方法（3） 三、工程近似法分析 采用简化模型，必须先确定工作状态 （1）、输入端 例1 例3 2.6 晶体管电路分析方法（4） 小信号等效电路分析法 第2章 晶体三极管 电子线路 * 厦门大学现代电路与系统技术研究所 共E： 输入：IB、VBE 输出：IC、VCE 特征曲线：VBE是自变量 IB是因变量 VCE是参变量 特性： 当VCE = 0时，两PN结并联，IB较大 2.当VCE从0→0.3V时，曲线右移。 3.当VCE0.3V后，曲线略右移，基本重合 4.反向特性 VBE 0 (NPN) 发射结反偏，集电结反偏 反向电流 IB=－（IEBO + ICBO）， 很小 5.当反向电压大到V（BR）BEO时， 反向电流↑↑ 当IB维持不同的定值，输出电流IC随输出电压VCE变化的特性 分四个区：放大区、饱和区、截止区、击穿区 特性： （1）满足 ， IB对IC有正向控制作用 （2）当IB是等间隔时，曲线基本是平行等距的。但由于基区宽度调制效应， 当VCE，基区复合减小，导致曲线上翘 。各特性曲线的负向延长线交 轴上同一点A， 相应的电压 ：厄尔利电压 发射结正偏，集电结正偏 （1）不满足直流电流传输关系， ， 特性： （2）饱和时的VCE称饱和压降VCE（sat）。 VCE（sat）≈0.3V，很小，类似开关闭合 当 时， 特性： （1）主要是雪崩击穿 （2）不满足直流电流传输关系 （3）可能穿通击穿 基区宽度↓，集电结和发射结重叠，集电结电场作用到发射结，使 和 ↑↑ （4) 较小时，击穿电压较大 反向击穿电压，实际的最大工作电压应小于击穿电压。 （1） 时，击穿电压为 （2） 时，击穿电压为 （3）B、E间接有电阻R时，击穿电压为 （4）B、E间短路时，击穿电压为 一般 所以 是选管的依据。 2、集电极最大允许工作电流 时， 要求最大工作电流 ，否则性能变坏，引起失真。 集电极实际的耗散功率 应小于