CMOS工艺流程方案.pptVIP

工艺集成 集成电路中的隔离 MOS集成电路中的隔离 增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化） 侧墙掩膜隔离 双极集成电路中的隔离 结隔离 MOS集成电路中的隔离 MOSFET本身自隔离 产生寄生场效应晶体管 抑制方法——防止开启 提高寄生场效应晶体管的阈值电压 增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化） 增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层 增加场区二氧化硅的厚度 双极集成电路隔离 主要介绍0.18 μm的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。 CMOS制作步骤 CMOS反相器由两个晶体管构成，一个nCMOS和一个pCMOS。 1.双阱工艺 在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域称阱（well）。阱通常是通过注入或扩散工艺形成，掺杂为n型称为n阱，掺杂为p型称为p阱,而在同一硅片上形成n阱和p阱的称为双阱（twin-well）。 2.浅槽隔离工艺 浅槽隔离STI是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。 分为三步：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化 3.多晶硅栅结构 4.轻掺杂漏注入工艺 源、漏注入工艺 n+源/漏注入工艺 P+源/漏注入工艺 7.接触孔的形成 8.局部互连工艺 9.通孔1和钨塞1的形成 10.第一层金属（金属1）互连的形成 通孔2的形成 钨塞2的形成 12.第二层金属互连的形成 13. 制作第三层金属直到制作压点和合金 * *