四探针技术课件.pptVIP

说明：样品为片状单晶，四探针针尖所连成的直线与样品一个边界垂直， 探针与该边界的最近距离为L，除样品厚度及该边界外，其余周界为无穷远，样 品周围为绝缘介质包围。同样需要注意的是当片状样品不满足极薄样品的条件 时，仍需按上式计算电阻率P。 ☆扩散层的薄层电阻 半导体工艺中普遍采用四探针法测量扩散层的薄层电阻，由于反向PN 结的隔 离作用，扩散层下的衬底可视为绝缘层，对于扩散层厚度(即结深Xj)远小于探针 间距S，而横向尺寸无限大的样品，则薄层电阻率为： 说明：样品为片状单晶，除样品厚度外，样品尺寸相对探针间距为无穷大，四 探针垂直于样品表面测试，或垂直于样品侧面测试 。 实际工作中，我们直接测量扩散层的薄层电阻，又称方块电阻，其定义就是 表面为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，见下图。 所以 ： 因此有: 实际的扩散片尺寸一般不很大，并且实际的扩散片又有单面扩散与双面扩散之 分， 因此，需要进行修正，修正后的公式为： 本实验的测试装置主要由四探针头， 可调的直流恒流源， 电位差计和检流 计等组成。 对四探针头的要求是： 导电性能好， 质硬耐磨。针尖的曲率半径25-50μm， 四根探针要固定且等距排列在一条直线上， 其间距通常为1mm，