第_1_章.1二极管基础知识(详细)(免费阅读).pptVIP

正偏时，各电量的变化？ PN结正偏时：阻挡层变薄 ？ 正偏→正向电流 多子扩散运动形成的扩散电流 内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流 PN结正偏时： 外加正偏置电压时载流子浓度分布变化 在正向偏置电压的作用下，P区中的多子空穴将源源不断地通过阻挡层注入到N区，成为N区中的非平衡少子，并通过边扩散、边复合，在N区形成非平衡少子的浓度分布曲线 PN结正偏时： 在N、P区均形成非平衡少数载流子浓度分布 PN结正偏时，通过PN结的电流是由两个区的多子通过阻挡层的扩散而形成自P区流向N区的正向电流IF。 当外加电压VF升高时，PN结的内电场进一步减弱，扩散电流随之增加，且呈指数增长。 正偏时，PN结呈现为一个小电阻 为了保证整个闭合回路中电流的连续性，外电源必须源源不断地向P区和N区补充扩散和复合中损失的空穴和自由电子 . PN结承受的电压： PN结反偏： P区接低电位 （负电位） N区接高电位 （正电位） 2. 反向特性 PN结反偏： 内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的电流。 反向电流 反偏 Is 称为反向饱和电流 PN结反偏： ＊ 硅PN结的Is为p A级， ＊ 温度T增加 → Is增大 ？ 反偏时，PN结呈现为一个大电阻 正偏→加正向电压 反偏→加反向电压 PN结的单向导电性 1) 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2) 在杂质半导体中少子的数量与 。 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3) 当温度升高时，少子的数量 。 （a. 减少、b. 不变、c. 增多） 4) 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） 思考题： 故有 3. PN结的伏安特性 一般而言，要产生正向电流时，外加电压远大于VT，正向电流远大于 Is，则可得 近似估算 正向： 反向： 陡峭?电阻小正向导通 特性平坦?反向截止 一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的 非线性 PN结正偏时: 正向伏安特性 正向伏安特性 1.2.3 PN结的击穿特性 反向伏安特性 外加反向电压不太大时，反向电流很小 PN结的击穿有雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿等 。 PN结的反向击穿： 当反向电压增大到一定值时,反向电流急 剧增大的现象。 击穿时对应的反向电压。 如此连锁反应使得阻挡层中载流子的数量出现倍增效应，载流子浓度增长极快，使反向电流急剧增大，这个过程像雪崩一样。 阻挡层愈宽，要达到碰撞电离所要求的电 场强度就愈大，因而雪崩击穿的电压较高，其 值随掺杂浓度的降低而增大。 1. 雪崩击穿 场致激发在极短的时间内，使阻挡层内载 流子浓度剧增，从而反向电流急剧增加。 齐纳击穿发生在掺杂浓度较高的PN结中， 相应的击穿电压较低，且其值随掺杂浓度的增 加而减少。 2. 齐纳击穿 雪崩击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数。 齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。 通过上述讨论可见，两种击穿电压的温度系数恰好相反。 一般6V以下的击穿属于齐纳击穿，而高于6V的击穿主要是雪崩击穿。 当PN结的稳定电压在6V左右时，两种击穿将同时发生，它的温度系数可接近于零。 热击穿——不可逆 电击穿——可逆 1.2.4 PN结的电容特性 在PN结两端外加电压时，外加电压的变化将引起结区内和结边界处电荷量的变化，这种变化量的比值 d Q／d V呈现出电容的效应。 因此，PN结的电容C j包含势垒电容CT 和扩散电容 CD。 PN结的结电容 PN结反偏电压的变化引起结区内 电荷量的增、减效应与极板电容的充放 电非常相似，故将这种效应等效为势垒 电容，用CT 表示 。 1. 势垒电容CT 由于结区内电荷量 Q 随外加反偏电压的变化是非线性的关系，CT 与外加反偏电压之间呈现非线性的特性。 变容特性曲线 曲线的函数表示式： 势垒电容CT可等效为并联在PN结两端。 变容特性曲线 2. 扩散电容CD PN结正偏电压的变化引起结区边界载流子浓度的增、减的效应等效为扩散电容，用CD表示 。 CD 表征了电荷的变化量与外加电压变化量之比 1