第一章半导体器件(精编).pptVIP

1-1-1本征半导体 自由电子—空穴对的运动特点 1-1-2杂质半导体 2．N沟道耗尽型场效应管 当正栅压时（uGS0），沟道变宽，当负栅压时（uGS0）,沟道变窄，只有负到一定程度时，沟道才消失，此时uGS=VP，称VP为夹断电压，VP本身是负值。所以耗尽型MOS管与结型管相似，不同之处是N沟道结型管工作在负栅压而N沟道耗尽型MOS管，除工作在负栅压外，还可以工作在零栅压或正栅压，具有更广泛的灵活性。 耗尽型MOS也分P沟道和N沟道两种。 N沟道耗尽型与N沟道增强型MOS管的结构基本相同，主要区别是这类管子的栅绝缘层（SiO2）中掺入适量的正离子，使得在零栅压时（uGS=0），在正离子作用下，已经出现了N型导电沟道。 （V） 变 阻 区 2 0 -4 -8 （mA） 10 8 6 4 2 5 4 3 2 1 放 大 区 0 （V） （mA） 截止区 G D S 特性曲线和符号 耗尽型MOS场效应管最大的特点是栅源电压可正可负。偏置灵活 3．P沟道MOS管（PMOS） P沟道MOS管也有两种，增强型和耗尽型。增强型PMOS管在工作时为了在漏源极之间形成P沟道，栅源极之间电压必须为负，而且漏源极电压及漏极电流也与NMOS管的相反。 ?2 ? ? 增 强 型 ? + 0 ? 耗 尽 型 PMOS + + 增 强 型 + + 0 ? 耗 尽 型 NMOS ? + 结型 P沟道 + ? 结型 N沟道 转移特性 输出特性 阈值电压 偏压极性 符号 类型 +1 ?1 各种类型的FET的特性及符号 1-5-3 场效应管的参数及其特点 1．主要参数 （1）夹断电压VP 它是指uDS在固定时(如uGS=0），使耗尽型场效应管（JFET、MOSFET）漏极电流减小到某一微小值（测试使用≈1?A）时的栅源电压值。 （2）开启电压VTH 它是指在uDS固定时，使增强型场效应管开始导电的栅源电压值。 （3）饱和漏极电流IDSS 在uGS=0的情况下，对于耗尽型场效应管，当uDS?VP时iD的值。通常规定uGS=0，uDS=10V时测出的漏极电流为饱和电流IDSS。 （4）直流输入电阻RGS 漏极与源极短路时栅极直流电压UGS与栅极直流电流IG的比值为直流输入电阻RGS。JFET的直流输入电阻通常在108--1012?之间，绝缘栅场效应管的直流输入电阻在1010—1015?之间。 1）直流参数 稳压管稳压电路 IZ IL Uo Ui RL UZ VZ T C R VD 稳压管并接在负载RL两端，故Uo=UZ 工作原理 当RL一定，设Ui增大，则UZ和Uo都要增大，但稳压管两端电压只要有少许增大，就会造成IZ急剧增加，这时限流电阻R上的压降（IZ+IL）R就会显著增加，从而使输入电压增加的绝大部分都降落在R上，于是Uo的变化就非常小。同样地，若Ui减小或R变化，也可以使Uo的变化很小，输出电压基本稳定。 1-3-2 光电二极管 K A 光电二极管符号 光电二极管工作原理 光电二极管必须工作在反向电压下，在没有光照的条件下，它和普通二极管一样，其反向电流很小，这时的电流称为暗电流。当有光照时，半导体共价键中的价电子获得能量，产生的电子—空穴对增多，导电能力加强，反向电流增大。并且，在一定的反向电压范围内反向电流与光照度成正比。 光电二极管特性 （1）光谱特性 就是指光电器件对某一波长范围内的光的光照具有较好的响应，对于这一波长范围外的光的光照响应却较差。 （2）光照特性 表示光电流与照射光强度之间的关系曲线称为光照特性，也称光电特性。一般说来，光电二极管的光照特性曲线是非线性的，但其特性曲线越接近直线，其光照特性就越好。 （3）频率特性 频率特性表示光电流与入射光强度变化频率之间的关系。 光电二极管可以用做光的检测。当PN结的面积较大时，可以做成光电池。 1-3-3 发光二极管 K A 发光二极管符号 发光二极管工作原理 发光二极管简称LED。其内部的基本单元仍然是一个PN结。当外加正向电压时，P区和N区多数载流子扩散到对方，与对方多数载流子复合，在复合过程中，有一部分能量以光的形式发出，使二极管发光。 发光二极管的应用 1） 发光二极管主要用作显示器件。除单独使用外，还可以做成数码管或阵列显示器。 2）将发光二极管和光电二极管组合起来可以构成二极管型光电耦合器。 光电耦合器以光为媒介进行电信号的传递。它可用来传递模拟信号，也可作开关器件使用。并且发光器件和光敏器件间电绝缘，所以常用在信号单方向传输，且需要电路间电气绝缘场合的信号耦合。主要用于一些常见的数字控制系统中。 1-3-4 变容二极管 变容二极管符号 K A ?U/V C/pF