第四章硅太阳电池-20141124..pptVIP

电极/衬底 a-Si TiO2 Ni 电极 减反射膜 MOS结构的a-Si太阳电池 PIN结构的a-Si太阳电池 太阳光 电极/衬底 i n p i n p … 级联结构（叠层结构） 电极/衬底 n+型a-Si i型a-Si p+型a-Si 太阳光 减反射膜 减反射膜 单晶硅掺杂——扩散，离子注入 非晶硅掺杂——反应室中直接通入掺杂气体，与SiH4一同分解，在非晶硅薄膜形成时掺入杂质 n型杂质：P As p型杂质：B Ga PH3 (0.1~1%) 2PH3=2P+3H2 B2H6 (0.1~2%) B2H6=2B+3H2 非晶硅薄膜掺杂 交替通入硼烷和磷烷，可以制备出具有pin结构的非晶硅薄膜太阳电池——交叉污染； 后期的解决方案：分室掺杂 单晶硅 硅太阳能电池的制作工艺 硅片的制备 硅片的表面准备（清洗及腐蚀） 制 结 制备上、下电极 去除背面的p-n结 腐蚀周边 蒸镀减反射膜 检验测试 硅太阳电池 切、磨 表面无序织构化 组件安装 硅 原 料 多晶硅 切 片 切 片 多晶硅锭初步切割成小块：刀锯或带锯 缺点：锯缝损失达3-4mm 线锯：一条或多条细线（直径160μm）带着砂浆切入硅锭 优点：自动化程度高；同时切出多个硅片 4. 非切片技术 目的：减少切片步骤，降低损耗