大学物理A总复习.pptVIP

1、均匀磁场通过平面的通量计算 2、非均匀磁场的通量计算 若是闭合曲面以曲面外法线方向为正 毕奥-萨伐尔定律： 真空中的磁导率： ?o= 4 ??10-7 T·m·A-1 1、?1 ，?2 角 ?1指的是Po线与P和电流始端A的连线的夹角 ?2指的是Po线与P和电流末端B的连线的夹角 2、?1 ，?2 角的正负 从Po旋转到PA（或PB) 旋转方向与电流流向相同为正 相反为负 讨论： 1.当直线电流为“无限长”时 2.若导线为“半无限长”,其一端 3.在AB的延长线上的点B=0 讨论: (1)圆心处 (2)半圆环电流I在圆心处的B？1/4圆环时圆心 处的B？N度圆环圆心处的B？ 周期： 频率： 四类磁介质 1、动生电动势的计算 两种方法： 感生电动势的计算方法总结： （1） 需先求出L上各点的感生电场 （2） 求对称性分布的EK 若回路不闭合需先构造闭合回路。 假想回路OBA,方向如图所示 回路磁通量： ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? A B R ? ? ? ? C 利用法拉第电磁感应定律 对于OA,OB段 如图所示，在半径为R的无限长 圆柱形空间内存在均匀磁场， 在垂直于圆柱轴线的平面内 有一无限长直导线，距圆柱 轴线距离为d(dR) 求长直导线感应电动势的大小和方向 . R 解：方法一 利用法拉第电磁感应定律 作回路l如图所示 自感电动势 自感系数 互感电动势 互感系数 磁场的能量： 电场能量与磁场能量的比较 电场能量 磁场能量 电容器储能 自感线圈储能 电场能量密度 磁场能量密度 磁场能量 能量法求L 电场能量 能量法求C × × × × × × × × × × × ×× 麦克斯韦方程组的积分形式: 简谐振动特征及其表达式 一. 同一直线上两个同频率的谐振动的合成 O点的振动方程： 波源振动方程： S1 S2 P P点的相位差： 同(振动)方向同频率的两列平面谐波的叠加 振幅： 初相： 1、形成条件：两列振幅相同的相干波沿相反方向传播叠加而成。 驻波 2、驻波方程 驻波方程： 弦上形成驻波的条件： （n=1,2,3,…) 半波损失条件： 当波从波疏媒质垂直入射到波密媒质时 对于弦波：当反射点固定时，有半波损失 当反射点为自由，无半波损失 入射波方程： 无半波损失反射波方程： 有半波损失 反射波方程： 2、反射波 O 1.普通光源获得相干光的途径 p S * 分波面法 分振幅法 · p 薄膜 S * 干涉 x 光程： 附加光程差 n1 n2 n3 无附加光程差 n1 n2 n3 有附加光程差 1 2 结论：分振幅法实现干涉时须考虑由半波损失引起附 加光程差,当介质折射率依次增大或减小时反射光无附加光程差，而透射光有附加光程差 n1 n2 n3 n1 n2 n3 薄膜干涉 1、等倾干涉 2、等厚干涉 形状: 一系列同心圆环 r环= f tgi 条纹间隔分布: 内疏外密 条纹级次分布: 膜厚变化时,条纹的移动： 等倾干涉 加强： 减弱： 条纹特征： 内高外低 e增大， 条纹向外移动 （长出） 增透膜和增反膜 垂直入射时 2、等厚干涉 ? n · A 反射光2 反射光1 入射光(单色平行光垂直入射) 空气介质 B 劈尖 劈尖 对应的膜厚度为： 条纹特征： 3、条纹级次 k 随着劈尖的厚度而变化，因此这种干涉称为等厚干涉。条纹为一组平行于棱边的平行线。 2、由于存在半波损失，棱边上为0级暗纹。 1、条纹等间距 例2 在半导体元件生产中，为了测定硅片上SiO2薄膜的厚度，将该膜的一端腐蚀成劈尖状，已知SiO2 的折射率n =1.46，用波长? =5893埃的钠光照射后，观察到劈尖上出现9条暗纹，且第9条在劈尖斜坡上端点M处，Si的折射率为3.42。试求SiO2薄膜的厚度。 解：由暗纹条件 e = (2k+1)? /4n ?= 2ne = (2k+1）? /2 (k=0,1,2…) 知,第9条暗纹对应于k=8,代入上式得 = 1.72(?m) 所以SiO2薄膜的厚度为1.72 ?m。 （二）、牛顿环 1、牛顿环半径公式： 2、条纹特征 明环 暗环 1）明暗相间的内疏外密的同心圆环 2）中央为一暗斑，条纹级次 中间低外边高 3）透射光干涉条纹与反射 明暗互补 3、牛顿环应用 牛顿环半径公式（空气膜n=1）： —— 中央明纹 暗纹条件 明纹条件 中央明纹 角宽度 线宽度 第k 级明纹 角宽度 线宽度 半角宽度 光栅方程： 理论和实验证明：光栅的狭缝条数越多，条纹越明亮，