微电子器件(5-2)资料.ppt

* 5.2 MOSFET 的阈电压 定义：使栅下的硅表面处开始发生强反型时的栅电压称为阈电压（或 开启电压），记为 VT 。 定义：当硅表面处的少子浓度达到或超过体内的平衡多子浓度时，称为表面发生了 强反型 。 在推导阈电压的表达式时可近似地采用一维分析，即认为衬底表面下耗尽区及沟道内的空间电荷完全由栅极电压产生的纵向电场所决定，而与漏极电压产生的横向电场无关。 5.2.1 MOS 结构的阈电压 本小节推导 P 型衬底 MOS 结构的阈电压。 上图中， 1、理想 MOS 结构（金属与半导体间的功函数差 ?MS = 0 ，栅氧化层中的电荷面密度 QOX = 0 ）当 VG = 0 时的能带图 称为 P 型衬底的费米势。 上图中，?S 称为 表面势，即从硅表面处到硅体内平衡处的电势差，等于能带弯曲量除以 q 。 2、实际 MOS 结构（?MS 0，QOX 0）当 VG = 0 时的能带图 3、实际 MOS 结构当 VG = VFB 时的能带图 当 时，可以使能带恢复为平带状态，这时 ?S = 0，硅表面呈电中性。VFB