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Q:what is semiconductor? 半导体器件特点: 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高。(与电子管比较) 2.1.2 杂质半导体N型半导体和 P 型半导体 PN结及其单向导电性 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2)PN 结加反向电压(反向偏置) What is the PN junction? The heart of semiconductor device. 2.3 半导体二极管 2.3.1 基本结构 2.3 半导体二极管 2.3.2 伏安特性 2.3.3 主要参数 What is the diode? 2.3.4二极管电路分析举例 How to analyze the diode circuit? 2.4 稳压二极管 2.4.3主要参数 谢谢大家! Key Point Conductors, semiconductors, insulators (导体,半导体,绝缘体) Silicon,Germanium (硅,锗) Valence electron,Crystal,Covalent bond (价电子,晶体,共价键) Intrinsic semiconductor,Extrinsic semiconductor (本征半导体,杂质半导体) Carriers,Free electron,Hole (载流子,自由电子,空穴) Doping,N-type semiconductor,P-type semiconductor (掺杂,N型半导体,P型半导体) Diffusion, drift (扩散运动,漂移运动) 谢谢大家! Key Point PN junction,Space-charge region,Depletion region,Barrier region (PN结,空间电荷区,耗尽层,势垒区) Forward bias,Reverse bias (正偏,反偏) Diode,Anode,Cathode (二级管,阳极,阴极) The ideal model (理想模型) The rectifier circuit, the clipper circuit, the switching circuit (整流电路,限幅电路,开关电路) Zener diode,Light-emitting diode (LED) (稳压管,发光二极管) U I RZ DZ RL UZ IZ IL URZ 例: (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?u 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小,曲线愈陡,稳压性能愈好。 * 第2章 半导体器件 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 二、了解二极管、稳压管、三极管和场效应管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 三、会分析含有二极管的电路。 2.1 半导体的基本知识 半导体材料:(Semiconductor materials) ρ(Ω-cm ) 10+9 10-3 导体如金属等 绝缘体如橡皮、塑料等 典型半导体:硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等 半导体 半导体特性: (可做成温度敏感元件,如热敏电阻) 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化。 (可做成各种光敏元件,如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管等)。 热敏性: 当环境温度升高时,导电能力显著增强。 (可做成各种不同用途的半导体器件, 如二极管、三极管和晶闸管等)。 2.1 半导体的基本知识 2.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子,称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。 本征半导体的导电机理
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