2(zm)光电探测器的物理基础试卷.ppt

光电探测与信号处理 2.1 半导体物理基础 2. 2 光电效应和热电效应 一．光电效应 内光电效应： 被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 外光电效应 被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象. 1.内光电效应 （2）光生伏特效应 （3) 光子牵引效应 （4）光磁电效应 2.外光电效应－光电发射效应 二．热电效应 电阻温度效应 温差电效应 热释电效应 （1）电阻温度效应 原理：当吸收光辐射而温度升高时，金属的电阻会增加，而半导体材料的电阻会降低。从材料电阻变化可测定被吸收的光辐射功率。 利用材料的电阻变化制成的热探测器就是电阻测辐射热计。材料的电阻与温度的关系可用材料的电阻温度系数αT来表征。 实验研究发现，材料温度从T改变到了T+ΔT，材料的阻值改变量ΔR只与材料的阻值R及温度改变量ΔT 成正比，即： ΔR=αTRΔT 当ΔT足够小时，则有： dR = αT RdT 由此得到电阻温度系数αT ： 电阻温度系数αT与材料的种类和温度有关，是描述测辐射热器材料的电阻值对温度变化灵敏程度的基本参数。当温度变化时，αT值越大，其电阻阻值变化就越大；αT值越小，其电阻阻值变化就越小。在室