西工大微电子制造工艺简析.docVIP

第1章 单晶硅特点 硅材料的优点： ①原料充分，占地壳25%，沙子是硅在自然界中存在的主要形式； ②硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要； ③密度只有2.33g/cm3，是锗/砷化镓的43.8%，用于航空、航天； ④热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃，芯片散热； ⑤单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好，目前16英寸； ⑥机械性能良好，MEMS。 硅中的点缺陷、线缺陷： （1）点缺陷 本征缺陷（晶体中原子由于热运动） 空位 A：晶格硅原子位置上出现空缺； 自填隙原子B ：硅原子不在晶格位置上，而处在晶 格位置之间。 杂质（非本征缺陷：硅以外的其它原子进入硅晶体） 替位杂质C 填隙杂质D ①肖特基缺陷：空位缺陷； ②弗伦克尔（Frenkel）缺陷：原子热运动脱离晶格位置进入晶格之间，形成的空穴和自填隙的组合； ③填隙杂质：在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大； ④替位杂质：通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中