电子工程物理基础v1.1(4-2-1)2015方案.pptVIP

例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。（3）计算该半导体材料的电阻率。设杂质全部电离。锗原子浓度为 4.4×1022/cm3, μn=3600/V·s, μp=1700/V·s,且不随掺杂而变化. 解: 例3 Hight-Field Effects 1 欧姆定律的偏离 三.强电场效应 ？ 解释思路： * 微观机制：载流子与晶格振动散射交换能量过程 * 平均自由时间（散射）与载流子运动速度的关系 其中， 迁移率μ是否为常数，取决于 平均自由时间与载流子运动速度关系 (1)无电场时： 载流子与晶格散射，交换的净能量为零，载流子与晶格处于热平衡状态。 0 由热运动速度决定 (2)弱电场时： 平均自由时间与电场基本无关 加弱电场时，载流子从电场获得能量，与声子作用过程中，一部分通过发射声子转移给晶格，其余部分用于提高载流子的漂移速度。但漂移速度很小,仍可认为载流子系统与晶格系统近似保持热平衡状态。 与电场基本无关 （3）强电场时： 平均自由时间由两者共同决定。 载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子系统与晶格系统不再处于热平衡状态。 迁移率与电场相关，不再为常数。偏离欧姆定律。 在如此强的电场下,TeTl的载流子称为 热载流子。 加强电场时，载流子从电场获得很