模拟电子技术大一第一课.pptVIP

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  • 2016-12-25 发布于贵州
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1.2 PN结 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容效应 1.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和 P 型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成 内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为 P N 结 , 在空间 电荷区,由于缺 少多子,所以也 称耗尽层。 图01.06 PN结的形成过程 (动画1-3) PN 结形成的过程可参阅图01.06。 1.2.2 PN结的单向导电性 如果外加电压使PN结中:P区的电位高于 N 区的电位,称为加正向电压,简称正偏; PN结具有单向导电性,若外加电压使电流从 P 区

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