- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
:生产电池片的工艺一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。扩散制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。扩散的质量对于太阳能电池的性能有重要影响。 一、扩散的基本概念
高温下,单晶固体中会产生空位和填隙原子之类的点缺陷。当存在主原子或杂质原子的浓度梯度时,点缺陷会影响原子的运动。在固体中的扩散能够被看成为扩散物质借助于空位或自身填隙在晶格中的原子运动。图1所示为晶格常数为a的简化二维晶体结构中的原子扩散模型。空心圆表示占据低温晶格位置的主原子,实心圆既表示主原子也表示杂质原子。在高温情况下,晶格原子在其平衡晶格位置附近振动。当某一晶格原子偶然地获得足够的能量而离开晶格位置,成为一个填隙原子,同时产生一个空位。当邻近的原子向空位迁移时,这种机理称为空位扩散。
假如填隙原子从一处移向另一处而并不站据晶格位置,则称为填隙扩散。一个比主原子小的原子通常做填隙式运动。填隙原子扩散所需的激活能比那些按空位机理扩散的原子所需的激活能要低。
掺杂原子获得能量后,通过占据主原子的位置发生的扩散,称为替位式扩散。
图1 空位扩散机制
图2 填隙扩散机制
图3 替位扩散机制
二.扩散制PN结
扩散方法 扩散法主要有热扩散法、离子注入法、薄膜生长法、合金法、激光法和高频电注入法等。通常采用热扩散法制结。而热扩散法又分为涂布源扩散、液态源扩散和固态源扩散之分。以液态源扩散为例,一般采用POCl3液态源作为扩散源,POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点,这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。POCl3液态源扩散公式如下: 扩散设备 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。 扩散过程 清洗——初次扩散前,扩散炉石英管首先连接TCA装置,当炉温升至设定温度,以设定流量通过TCA60分钟清洗石英管。清洗开始时,先开氧气,再开TCA;清洗结束后,先关TCA,再关氧气。清洗结束后,将石英管连接扩散源,待扩散。饱和——每班生产前,需对石英管进行饱和。炉温升至设定温度时,以设定流量通小氮气(携源)和氧气,使石英管饱和,20分钟后,关闭小氮气和氧气。初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时,须使石英管在950摄氏度通源饱和1小时以上。装片——戴好防护口罩和干净的塑料手套,将清洗甩干的硅片从传递窗口取出,放在洁净台上。用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出,插入石英舟。送片——用舟将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上,保证平稳,缓缓放入扩散炉。回温——打开氧气,等待石英管升温至设定温度。扩散——打开小氮气,以设定流量通小氮气(携源)进行扩散。扩散结束后,关闭小氮气和氧气,将石英舟缓缓退至炉口,降温以后,用舟叉从臂浆上取下石英舟。并立即放上新的石英舟,进行下一轮扩散。如没有待扩散的硅片,将臂浆推入扩散炉,尽量缩短臂浆暴露在空气中的时间。等待硅片冷却后,将硅片从石英舟上卸下并放置在硅片盒中,放入传递窗。
三.扩散条件的选择
?在半导体生产中,影响扩散层质量的因素很多。而这些因素之间又都存在着相互影响关系。因此,只有全面地正确分析各种因素的作用和相互影响,才能使所选择的工艺条件真正达到预期的目的。不过,扩散条件的选择,主要是杂质源、扩散温度和扩散时间三个方面。选择这些条件应遵循以下原则:a.能否达到结构参数及质量要求;b.能否易于控制,均匀性和重复是否好;c.对操作人员及环境有无毒害;d.有无好的经济效益。 (1)扩散杂质源的选择
选取什么种类的杂质源,是根据器件的制造方法和结构参数的要求来确定的。具体选择还需要遵循如下原则:a、杂质的导电类型要于衬底导电类型相反。b、应选择容易获得高纯度、高蒸汽压且使用周期长的杂质源。c、杂质在半导体中的固溶度要大于所需要的表面杂质浓度。d、尽量使用毒性小的杂质源。上面所说的只是如何选择杂质源的种类,而每种杂质源又有多种形式。因此选择杂质源一定要慎重。从杂质源的组成来看,又有单质元素、化合物和混合物等多种形式;从杂质源的形态来看,又有固态、液态和气态多种形式。
? (2)扩散温度和时间的选择 扩散温度和时间,平面器件制造工艺中的两个及其重要的工艺条件,它们直接决定着扩散分布结果。因此,能否正确地选择扩散温度和扩散时间,是扩散的结果能否满足要求的关键。 由于扩散的目的是形成一定的杂质分布
您可能关注的文档
最近下载
- 2025秋苏教版(2024)科学三年级上册第二单元《7固体的混合与分离》教学设计.docx VIP
- 高中物理教学课件人教版必修三:13-4电磁波的发现及应用.pptx
- 一例支气管哮喘患者的药学服务方案.pdf VIP
- 2025秋苏教版(2024)科学三年级上册第二单元《6认识固体》教学设计.docx VIP
- 2025秋苏教版(2024)科学三年级上册第二单元《5认识液体》教学设计.docx VIP
- 零碳园区节能改造方案.docx
- 食品配送车辆卫生及消毒管理.docx VIP
- 探究谷子经济背后的投资价值.pptx VIP
- 《新型智慧城市信息化建设调研表》.doc VIP
- 2025年阳泉职业技术学院单招考试文化素质数学考试历年机考真题集及完整答案详解.docx VIP
文档评论(0)