1_半导体器件..ppt

* 第1章 半导体器件 ? 1.1 半导体的特性 导体： 自然界中很容易导电的物质称为导体， 电阻率(10-6～10-4 Ω·cm)。 金属、电解质溶液等。 半导体： 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体， 电阻率介于 ( 10-3～109 Ω·cm) ， 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 绝缘体： 有的物质几乎不导电，称为绝缘体， 电阻率(1010Ω·cm以上)。 如橡胶、陶瓷、塑料和石英等。 ?? 1.1.1 本征半导体 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 本征半导体的晶体结构 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的原子的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge ＋32 Si ＋14 +4 常用带有＋4电荷的正离子以及它周围的4个价电子来简化表示一个4价元素的原子。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 一、本征半导体的结构特点 热力学温度零度时（T=0K≈-2730C)， 本征半导体不导电。 二、本征半导体的导电机理 /photoshow/4354/4813014.html 本征激发 环境温度脱离0K，或受到光照等条件下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴，即产生自由电子－空穴对。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 常温下共价键中束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素。 ?? 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的其他特定元素（称为杂质）而形成的半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体又分为N型半导体和P型半导体。 常用的杂质材料有5价元素磷P和3价元素硼B。 多数载流子（简称多子）： 自由电子，由本征激发和掺杂产生； 少数载流子（简称少子）： 空穴，仅由本征激发产生； n ≥ p N型半导体主要靠自由电子导电。 1 . N型半导体（电子型半导体） 杂质元素： 五价元素磷（或锑）。 每掺入一个磷原子就相当于向半导体内部注入一个自由电子。 2 . P型半导体（空穴型半导体） 每掺入一个硼原子就相当于向半导体内部注入一个空穴。 杂质元素： 三价元素硼（或铟）等。 多子： 空穴，由本征激发和掺杂产生； 少子： 自由电子，仅由本征激发产生； p ≥ n P型半导体主要靠空穴导电。 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。 杂质半导体的简化表示法 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度。无论是Ｎ型或Ｐ型半导体，从总体上看，仍然保持着电中性。 ? 1.2 半导体二极管  由于两区多数载流子浓度的差异，引起多子由浓度高的地方向浓度低的地方的迁移。电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是形成空间电荷区。 利用一定的掺杂工艺使一块半导体的一侧呈Ｐ型，另一侧呈Ｎ型，则其交界处就形成了ＰＮ结。 ?? 1.2.1 PN结及其单向导电性 一、PN结中载流子的运动 1. 多数载流子的扩散运动——扩散电流 耗尽层、内电场、电位壁垒（UD)、势垒区、阻挡层、 2. 少数载流子的漂移运动——漂移电流 多子的扩散运动使空间电荷区变宽，　少子的漂移运动使空间电荷区变窄，最终达到动态平衡，Ｉ扩＝Ｉ漂，空间电荷区的宽度达到稳定，即