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固 态 电 子 器 件Solid State Electronic Devices 教材：张鹤鸣 张玉明 曹全喜 课程内容 Ch1 pn结二极管 Ch2 双极型晶体管 Ch3 JFET与MESFET Ch4 MISFET Ch5 电力电子器件 Ch6 CCD器件 Ch7 LED器件 Ch8 光电探测器 Ch9 半导体太阳电池 Ch10 片式元器件 第一章 pn结二极管 §1.1 pn结基本物理特性 1.1.2 非平衡pn结 §1.2 pn结基本电学特性 1.2.2 pn结电容和等效电路 1.2.3 pn结击穿 §1.4 pn结二极管 1.4.1 整流二极管 1.4.2 开关二极管 1.4.3 变容二极管(可变电抗器) 1.4.4 pin二级管 2.电荷分布 1.4.5 江崎二级管 作业： pn基本特性概述 一、空间电荷区及形成 二、能带结构 三、平衡状态载流子分布 四、非平衡状态载流子分布 五、电学特性 3.势垒电容 4.扩散电容 5.击穿电压 §1.4 pn结二极管 介绍若干有代表性的pn结二极管。 1.4.1 整流二极管 1.4.2 开关二极管 1.4.3 变容二极管 1.4.4 pin二极管 介绍若干有代表性的pn结二极管。 1.4.1 整流二极管 1.4.2 开关二极管 1.4.3 变容二极管 1.4.4 pin二极管 定义: 允许电流从一个方向通过，而另一个方向呈现高阻阻断状态的器件。 这种器件应用了pn最基本的正反向电流-电压特性。 对偏压微分，得pn结电导: pn结的电流-电压方程: 正偏pn结电导gF和动态电阻rF: 反偏pn电导gR和动态电阻rR : 正反向动态电阻之比: 电阻之比极高---整流特性。 定义:作开关应用的pn结称为开关二极管。 开关二极管是运用了pn结正向电流大，反向电流小的特性。 主要电特性参数为开关响应时间。 t 0: 输入电压Ｖ２(Ｖ２０)，电流为反向饱和电流IＲ。 t=0: 输入电压Ｖ１(Ｖ１０), 达稳定状态时正向电流为 (Ｖ１ Vj ) t=t1: 输入电压跃变为Ｖ２,电流瞬时反向,并在ts时间内近似不变，为 1.基本开关特性 基本开关电路 输入输出波形图 2. 开关特性分析 t 0: 输入电压Ｖ２(Ｖ２０)，电流为反向饱和电流IＲ。 t=0时: 输入电压跳变为Ｖ１(Ｖ１０), 但由于pn结电容效应，电容二端的反向电压Ｖ２不能突变，所以此刻，正向电流跳变为 t≥0时:随电容充电，pn结电压逐渐上升。稳定时达Vj, 正向电流为 CT CD V20 RL V1 + _ _ + P区 n区 t=t1时：电压跃变为Ｖ２,输入电压反向，pn结电容的压降仍为Vj。此时反向电流跳变为 t≥ t1时：势垒电容和扩散电容的放电,Vj逐渐下降到零，之后pn结进入反偏状态，随载流子的释放电流迅速下降，逐渐达到反向饱和电流IR 0 t1 t2 CT CD Vj0 RL V2 + _ + _ P区 n区 3. 基本开关参数 ts =t2-t1---储存时间 tf(t2)---下降时间 机理：pn结空间电荷区电荷和扩散区非平衡少子电荷再分布过程所用的时间。 p n 载流子消失途径：1 . 抽取； 2.复合 ts + tf 称反向恢复时间； 若ts + tf大于负脉冲宽度，二极管不能有效关断 减小ts + tf 措施： 减小QS: 降低正偏，减小少子寿命； 加速QS消失：增大I2，减小少子寿命。 0 t1 t2 定义：利用pn结势垒电容随外加偏置电压非线性变化特性而工作的器件。一般工作于反偏。 Ｂ—某一常数； m=0--均匀分布，为单边突变结； m=1--单边线性缓变结； m 1--单边指数缓变结; m 0--称为超突变结。 -5/3 1.基本掺杂结构： 势垒电容随偏压变化的速率与掺杂浓度及分布有关。 p＋n结n区一侧掺杂分布为: 应用：混频、检波、电压调谐，等，希望dC/dV大 2.基本特性: