2010年1月8日LED原理报告..pptVIP

* * Light-Emitting Diodes 小组成员：张丽颖、刘丽娜 程岳、张春玲 2010-1-8 基本原理 LED分类 电致发光 正向偏压使pn节形成一个增益区： -导带主要是电子，价带主要是空穴，实现了粒子数反转 -大量的导带电子和价带的空穴复合，产生自发辐射光 p n 外加正偏压 ? 注入载流子 ? 粒子数反转 ? 载流子复合发光 hv 在激活区，电子空穴对复合发射出光 外加正向偏压将N区的电子、P区的空穴注入到PN结，实现了粒子数反转分布，即使之成为激活物质（PN结为激活区）。在激活区，电子空穴对复合发射出光。 直接带隙：导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合伴随光子的发射。III-V族元素的合金，典型的如GaAs等。 间接带隙：导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合需要声子的参与，声子振动导致热能，降低了发光量子效率。 发光材料的选择 同质pn结 存在的问题： 增益区太厚(1~10 mm)，很难把载流子约束在相对小的区域，无法形成较高的载流子密度 无法对产生的光进行有效约束 同质pn结： 两边采用相同的半导体材料进行不同的掺杂构成的pn结 特点： - 同质结两边具有相同的带隙结构和光学性能 - pn结区的完全由载流子的扩散形成 p n 图给出了双异质结（DH）半导体激光器加正向偏压时，能带的分布。如图。 面发光二极管 优点：LED到光纤的耦合效率高 P(q) = P0cosq 载流子注入 25 mm 5 mm 边发光二极管 优点：与面发光LED比，光出射方向性好 缺点：需要较大的驱动电流、发光功率低 载流子注入 50~70 mm 100~150 mm 30o 120o 材 料 波长(nm) InAsSbP/InAs 4200 InAs 3800 GaInAsP/GaSb 2000 GaSb 1800 GaxIn1-xAs1-yPy 1100~1600 AlxGa1-xAs:Si 650~940 GaAs:Si 940 Al0.11Ga0.89As:Si 830 GaAs0.6P0.4 660 材 料 波长(nm) GaP 690 GaP:N 550~570 GaxIn1-xN 340,430,590 SiC 400~460 BN 260,310,490 常见用于制造LED的材料及其辐射波长 LED 有机半导体材料 （organic） 无机半导体材料 （inorganic） 红外光LED （infrared LED） 可见光LED 有机发光二极管 （OLED） LED分类 可见光LED 与普通白炽灯对比： ①发光效率是普通白 炽灯的3倍 ②产生光纯度较好 ③寿命是普通白炽灯 的10倍 ④体积小