2013年7月电子电路基础期末复习..pptVIP

* 2、在下图所示电路中, T3和T4的饱和压降均为1V, RL=8Ω。问：⑴该电路中由哪些基本单元放大电路组成？⑵二极管D1、D2起何作用？⑶试求该电路的最大输出功率Pomax和T3的管耗，⑷当Rb=1KΩ, RF=99KΩ时，近似计算最大输出时的输入电压幅值。 RC RC Rb Rb R1 R2 D1 D2 RL R3 vo + - vi RE T1 T2 T3 T4 VCC=+9V VEE=-9V + - RF 解：⑴该电路由差分放大电路和乙类功率放大电路两个基本单元放大电路组成。 ○ + ○ + + vf ○ + ○ + * ⑵二极管D1、D2的作用为两个三极管提高一定的直流偏压，使三极管微导通。从而克服交越失真。 ⑶ * ⑷由电路图可知该电路采用了电压串联负反馈，假设反馈深度足够大，可得： 电压反馈系数： 电压放大倍数： 输入电压最大幅值： ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ * 一、单项选择题 1.在 P 型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 A. 小于 B. 等于 C. 大于 D. 不确定 2.在下图所示三个电路中，图 是比例恒流源。 图A 图B 图C A A * 二、简答题 1.右下图所示电路：请分析在电路参数合理，输入信号较小 情况下，下列电路能否处于放大状态工作？如果不能， 请修改？ (就在图上改，尽量少改。) VCC RC RB + - vi C3 C1 C2 + - vo 答：不能 VCC RC RB + - vi C3 C1 C2 + - vo * 三、简单分析、计算题 1.请判断如下图所示比较器的类型，分析其输出输入关系, 画出它的电压传输特性曲线。 - + A vo vS + - R3 R VREF R1 R2 解：反相输入迟滞比较器 令 得门限电平： vS vo VOH 0 比较特性 VOL VIL VIH * 四、综合分析、计算题 1、VT1、VT2构成的差分 放大器如图所示, 已知： R=14.3k?, RC=10k?， 所有三极管的 ?=100， rbb’=200?, VBEQ=0.7V。 (2) 计算 ICQ1 和 ICQ2 ； (3) 计算差模输入电阻，输出电阻和差模电压放大倍数。 ⑷ 写出共模抑制比KCMR 。 (1) 分析VT3、VT4构成什么电路，主要提高了差分放大器的什么性能指标？ * 解：(1) VT3、VT4构成镜像恒流源电路，主要提高了 差分放大器的共模抑制比，稳定了静态工作点。 (2) * (3) (4) 模抑制比 KCMR → ∞ * 一、单项选择题 1.在本征半导体中掺入五价元素后形成的杂质半导体，其 中的多数载流子是 。 A．自由电子 C．带正电荷的杂质粒子 B．空穴 D．带负电荷的杂质粒子 2.差分放大电路广泛应用于集成运算放大器的 。 A A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 偏置电路 A 3. 发生在 乙类功率放大电路中。 A. 截止失真 B. 饱和失真 C. 交越失真 D. 频率失真 C * 4.能同时进行电流和电压放大的是 电路。 5.在杂质半导体中，主要由 决定多数载流子浓度。 C A. 杂质元素 B. 掺杂浓度 C. 温度 D. 晶体材料 B 6.单级共射放大电路中， 将影响放大器的低频特性。 晶体管β值 B. 晶体管极间电容 C. 晶体管类型 D. 耦合电容和旁路电容 D A. 共集 B. 共基 C. 共发 7.在理想运算放大器中， → 0 。 A. Avd B. Rid C. Rod D. KCMR C * 8.为了稳定放大电路的输出电流，并减小输入电阻，应当 引入 。 9. PN 结处于动态平衡时，扩散电流 漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 B 10. P沟道EMOS管工作于饱和区的外加电压极性应满足： VGS 0，VDS 0 。 A