PN结 3、PN结的反向击穿 PN 结处于反向偏置时,反向电压超过某一数值时, 反向电流急剧增加,这种现象称反向击穿。 齐纳击穿:外加反向电压很大,形成很强的电场,直接破坏共价键,把电子拉出来,产生电子空穴对,使反向电流急剧增加。 雪崩击穿:反向电压逐渐增加,电场加强,少子受到加速,高速运动可能将价电子碰撞出共价键,产生电子空穴对,产生的电子继续碰撞,像雪崩一样。 齐纳击穿:6V以下,可恢复 雪崩击穿:6V以下,不可恢复,短路报废 半导体二极管的认识 学习任务 1、认识二极管 2、了解二极管的特性 3、掌握二极管的应用电路 一、半导体二极管的结构和类型 1、结构及符号 PN结加上引线之后,进行封装,P区为正极,N区为负极 2、类型 ①按材料分:硅二极管,锗二极管,砷化镓二极管等 ②按结构分:点接触型、面接触型等 ③按封装分:塑料、玻璃、金属 ④按用途分:开关、整流、稳压、发光、光电、变容等 ⑤按功率分:大功率、小功率等 3、命名方法 一般分为5个部分 2AP2D 数字表示电极数目 字母表示材料 A:N型锗材料 B:P型锗材料 C:N型硅材料 D:P型硅材料 字母表示类型或用途 P普通管 V微波管 W稳压管 C参量管 Z整流管
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