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第二章 常用半导体器件 第二章 常用半导体器件 §2.1 半导体基础知识 一、本征半导体 本征半导体的导电机理： 二、杂质半导体 2.P型半导体 杂质半导体的示意图 三、PN结及其单向导电性 2.PN结的单向导电性 （2）PN 结加反向电压（反向偏置） 练习题： §2.2 半导体二极管 一、半导体二极管的结构 一、半导体二极管的结构 二、半导体二极管的伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、半导体二极管的主要参数 四、半导体二极管的等效电路 练习题： 五、稳压二极管 §2.3 晶体三极管 一、晶体三极管的结构和类型 结构特点：以NPN型为例 二、晶体三极管的电流放大作用 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体三极管的共射特性曲线 2. 输出特性 四、晶体三极管的主要参数 例1: §2.4 场效应管 二、 绝缘栅型场效应管 1.增强型MOS管uDS对iD的影响 2.耗尽型 MOS管 3.MOS管的特性 4.场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 1. 三极管实现放大的条件 1）内部结构要求 2）外部条件 第一：发射区要进行高浓度掺杂； 第二：基区要很薄，而且掺杂浓度要低； 第三：集电区和