实验一 半导体激光器P-I特性测试验
实验目的
学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理
了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系
掌握半导体激光器P(平均发送光功率)-I(注入电流)曲线的测试方法
实验仪器
ZY12OFCom13BG型光纤通信原理实验箱台
光功率计 1台
FC/PC-FC/PC单模光跳线根
万用表 1台
连接导线 20根
实验原理
半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器,它通过受激辐射发光,(处于高能级E2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子,而跃迁到低能级E1,这个过程称为光的受激辐射。所谓一模一样,是指发射光子和感应光子不仅频率相同,而且相位、偏振方向和传播方向都相同,它和感应光子是相干的。)是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同,导致了半导体激光器不仅能产生高功率(≥10mW)辐射,而且输出光发散角窄(垂直发散角为30~50°,水平发散角为0~30°),与单模光纤的耦合效率高(约30%~50%),辐射光谱线窄(Δλ=0.1~1.0nm),适用于高比特工作,载流子复合寿命短,能进行高速信号(20GHz)直接调制,非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。
P-I特性是选择半导体激光器的重要依
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