《半导体光检测器.ppt

00-10-10 武汉大学 电子信息学院 光无源器件 讲义 光检测器 讲 义 武汉大学 电子信息学院 何对燕 §1.光检测器（photodetector） ?将光信号转换为电信号； ?有两种：半导体PIN光电二极管（PIN-PD）； 半导体雪崩光电二极管（APD-PD）； 都是光伏型-结型二极管。 ?组合： 场效应管（FET）； PIN-FET； APD-FET； §2.半导体PN结的光电效应 ?未加电压的p-n结—耗尽层（势垒区）。 §2.半导体PN结的光电效应(续） ?光照→hf≥Eg（光吸收）→电子受激跃迁 §2.半导体PN结的光电效应(续） ?漂移运动：耗尽层内在内建电场作用下，空穴→P区；电子→N区；在PN结边缘被收集。 ?扩散运动：耗尽层边缘，P区光生电子→N区； N区光生空穴→P区；少数载流子被多数载流子复合。 ?光生伏特效应： P区过剩空穴积累+； N区过剩电子积累-；外电路产生光电流（耗尽层内也产生光生伏特效应）。 §2.半导体PN结的光电效应(续） ?光吸收区：吸收入射光子并产生光生载流子的区域； ?作用区：耗尽层两侧载流子扩散长度； ?在作用区内，光生少数载流子的扩散速度较慢，影响光生伏特效应，光电响应速度慢。 §2.半导体PN结的光电效应(续） ?加宽耗尽层，尽量吸收入射光子； ?负偏压有助于加宽耗尽层，与内建电场方向一致，加强了漂移运动，载流子向两极运动，并被中和； ?减小P区和N区的厚度来减小载流子的扩散时间， ?降低半导体的掺杂浓度来加宽耗尽层； §3.半导体PIN光电二极管 ?PIN光电二极管：本征半导体或低掺杂半导体（I层）； ?P层和I层形成PN结，I层有较高的电阻，电压基本上落在I层，使得耗尽层加宽； ?耗尽层宽度与响应速度和量子效率矛盾，要进行优化。 §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） ?几种制作光检测器的半导体材料吸收系数随波长的变化情况 §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） ?光电二极管可视为电流源，Cd为结电容，Rs为串联电阻，Rl为跨接电阻； ?光电二极管的响应速度由电容Cd和负载电阻决定，一般厂家给出负载电阻为50?时的响应曲线。 §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §3.半导体PIN光电二极管(续） §4.PN结雪崩二极管(APD） ?碰撞电离：反向偏压增加→耗尽层电场增加→光生载流子加速→与半导体晶格碰撞→原子电离； ?雪崩倍增效应：多次碰撞电离→载流子迅速增加→电流迅速增加； §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） ?耗尽层被拉通到P区，I区电场较弱；NP区电场较强，雪崩区较窄，不能充分吸收光子；耗尽区较宽可充分吸收光子；提高了光电转换效率。 §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） §4.PN结雪崩二极管(APD）(续） 5.光电探测器特性 §6.PIN-FET §7.光发射机 §8.光接收机 §8.光接收机(续） §8.光接收机(续） §8.光接收机(续） §8.光接收机(续） §8.光接收机(续） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose P