曾世铭 单晶硅少子寿命测试影响因素的研究.pptVIP

单晶硅少子寿命测试影响因素的研究 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司，江西 九江 胡江峰 杨超 牛冬梅 胡荣星 曾世铭 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 关键词：单晶硅；少子寿命；钝化 摘要：使用HF与HNO3按一定比例混合对单晶硅片表面腐蚀，研究腐蚀不同时间及不同浓度的碘酒钝化硅片表面对少子寿命测试的影响，确定HF与HNO3的体积比为1：6时，腐蚀5~7分钟，碘酒浓度为0.08mol/L时，表面钝化效果最佳。选取不同少子寿命的单晶片进行钝化，使用WT-1000B和WT-2000PV型少子寿命测试仪进行对比，研究了硅片少子寿命裸测值与钝化值间的关系，并对比了两种不同仪器测试结果的差异。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1 引 言 少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性物理参数，它对硅太阳能电池的性能有重要的影响，硅片的少子寿命值越高越好。少子寿命低，将会严重降低电池的光电转换效率。