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CCD与CMOS图像传感器 2008年6月 讲座的基点 站在应用的角度看图像传感器 一、光电图像传感器分类 二、CCD基本原理简介 CCD (Charged Coupled Device) — 电荷耦合器件 以电荷为信号 两种基本类型: 表面沟道CCD(简称SCCD) 体沟道或埋沟道CCD(简称BCCD) 1、电荷存储 构成CCD的基本单元 — MOS(金属-氧化物-半导体)结构 表面势?S 与栅极电压UG的关系(P型硅杂质浓度NA=1021m-3,反型层电荷QINV=0) 表面势?S与反型层电荷密度QINS的关系 势阱的概念 2、电荷耦合 三相CCD中电荷的转移过程 3、CCD电极的基本结构 4、CCD电极的典型结构 (1)三相交叠硅栅结构 (2)二相CCD的电极结构 5、电荷的注入 电荷的注入 光注入 6、电荷的检测 7、CCD特性参数 转移效率?和转移损失率? 工作频率? 8、线阵CCD器件 工作原理 线性CCD摄像器的两种基本形式 单沟道线型CCD 双沟道线阵CCD器件 9、面阵CCD器件 帧转移面阵CCD 隔列转移型面阵CCD 10、CCD的光学传递特性 三、面阵CCD图像传感器 1、面阵CCD图像传感器的特性 四、CMOS传感器简介 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件,它结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉,有着广泛的应用前景。 1、CMOS传感器原理 2、CMOS传感器特性 (1)光照特性 (2)输出特性 (3)光谱响应 五、机器视觉工程 1、机器视觉在几何量测量技术中的应用 2、物体状态的测量技术 六、 机器视觉人才的培养 1、如何培养从事机器视觉工程的人才 七、线阵CCD实验仪 八、面阵CCD实验仪 九、典型应用 2、与国外采集的图像图像比对 谢谢 各位领导、专家和 光电事业的同行! (2)光谱响应特性 典型面阵CCD的光谱响应特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (3 )时间响应特性 面阵CCD的时间响应特性与面阵CCD的像元数量有关,一般来讲适用于监控系统的CCD摄像头的工作执行PAL工作制式,受PAL工作制式的约束,响应时间为帧周期40ms,而用于数码相机的像元在百万以上的CCD工作周期很长,与像元数及驱动频率等参数有关。 必须强调指出,CCD的时间响应与曝光时间是两个概念,时间响应是CCD工作的周期,曝光时间完全可以不受工作周期的限制。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. CMOS传感器的主要应用也是图像的采集,也要求能够适应更宽的光照范围。因此也必须采用非线性的处理方法和自动调整曝光时间与自动增益等处理方法。 结果与CCD相机一样损失了光电转换的线性,正因为此项,它也受限于灰度的测量。 Evaluation only. Created with Aspose.Slide
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