KL19ES31电磁辐射试验总结.docVIP

KL19ES31 电磁干扰试验总结 仅就该机型而言，在电磁干扰试验中有如下总结： 试验时，基波较高，如图1从100MHZ到300MHZ的基波隆起。这种情况一般由电源不良或者地接触不充分造成。若是电源部分问题，可能从30MHZ开始，其基波都会比较高。此处电源可能是主板之dc－dc电源，也可能是电源板引起。后查明，此处系遥控线和按键线靠近高压线（逆变器驱动液晶背光的电压，高达700v左右，但电流小）所致。将这两条线远离该高压线，则此处会下降3个dB左右。 图1 高频干扰 在如图1的曲线中，从214MHz一直到1G，都有林立的“电线杆”。此图算是比较好的，有的图中有三四处超标。其中很多都是14.318MHz的倍频。用频谱仪扫描，在14.318MHz晶振处，干扰很强烈。于是将晶振外壳接地，在用频谱仪扫描，发现有明显改善。但是在做emc时，后面如上，仍然解决不了那些“电线杆”。后经胡莉莉提示，还有flash的时钟大致是53MHz的样子，为. 14.318MHz的三倍频，可能是这里有问题。查看pcb文档，如下图的图2和图3。芯片的地被12v和3.3v隔开，而实际这两块地是通过很远的地方相连的。也就是说这个芯片有一个很大的电流回路，所以会产生电磁辐射。如图中所说连接后其效果好了很多，如图4的效果。后又进一步改善，将晶振两脚割开，串入高频阻抗较大的磁珠，其输出波形经过磁珠后效果很好。又将fla