MCRTCRSVG比较.doc

现在主要的动态补偿方式为TCR型SVC、MCR型SVC和SVG三种方式，以下分别介绍这三种动态无功补偿方式的原理，并且通过占地面积、响应速度、损耗、噪音等性能指标来论述这三种补偿方式的特点。 一、 MCR型动态无功补偿装置 MCR+FC型动态无功补偿装置 上世纪60年代由英国GEC公司制成第一台自饱和电抗器型SVC，后期俄罗斯人演变为可控饱和电抗器（CSR）型，也可称为MCR型动态无功补偿装置。其原理是三相饱和电抗器的工作绕组并联在电网上，通过改变饱和电抗器的直流控制绕组的励磁电流，借以改变铁心的饱和特性，从而改变工作绕组的感抗，达到改变其所吸收的无功功率的目的。 图九 MCR无功补偿原理 磁阀式可控电抗器的主铁心分裂为两半（即铁心1和铁心2），截面积为A,每一半铁心截面积具有减小的一段，四个匝数为N/2的线圈分别对称地绕在两个半铁心柱上（半铁心柱上的线圈总匝数为N），每一半铁心柱的上下两绕组各有一抽头比为δ= N2 / N 的抽头，它们之间接有晶闸管KP1 ( KP2 ),不同铁心上的上下两个绕组交叉连接后，并联至电网电源，续流二极管则横跨在交叉端点上。在整个容量调节范围内，只有小面积段的磁路饱和，其余段均处于未饱和的线性状态，通过改变小截面段磁路的饱和程度来改变电抗器的容量。 在电源的一个工频周期内，晶闸管KP1 、KP2 的轮流导通起了全波整流的作用，二极管起着续流作用。改变KP1 、KP2 的触发角便可改变控制电流的大小，从而改变电抗器铁心的饱和度，以平滑连续地调节电抗器的容量。 占地面积 由于MCR没有像TCR一样采用晶闸管阀组以及空心相控电抗器，而是采用晶闸管控制部分饱和式电抗器，因此，比TCR面积要小。 响应速度 MCR型SVC的响应速度一般在100 ~ 300ms之内。可控式饱和电抗器铁芯内的磁通有惯性，从空载到额定的变化，一般在秒级以上。虽然现在也可采取一些措施提高MCR型SVC的响应速度，但一般也很难低于150ms。 根据有关文献，磁阀式可控电抗器的响应时间由下式(1)确定。其中，n为磁阀式可控电抗器容量从空载到额定值所需的工频周期数，δ为抽头比。例如，MCR抽头比为0.05时，可得响应速度约为10个周期，即200ms；如果抽头比更小，则响应速度更慢。 (1) 损耗 可控电抗器在额定负载时，铁芯工作在磁饱和区域，在这种结构下，磁饱和时的边缘效应显著，由于磁阀交替饱和，在磁阀附近铁芯区域存在较大的横向磁场分量，因此增了电抗器铁芯和绕组的附加损耗，通常约为2%--4%。 目前，MCR经过不断的技术革新，损耗也有所下降，但是始终不会低于铁芯式电抗器的额定损耗。铁心式电抗器的国家标准，按照其容量不同，额定损耗一般为1.2~2%之间。因此，实际运行中，小于5万MVar的MCR式动态补偿的损耗不会小于1.8% 谐波电流 如电抗器部分投入，电抗器与负荷产生的谐波将同时出现。 运行噪音大、振动大 由于铁芯式饱和电抗器的固有特点，因此实际运行过程中噪音很大，振动很厉害。人长时间靠近对身体有害，牛羊等动物则本能的不愿意靠近。 武钢热轧（比利时沙成电力设备厂产品）MCR噪音实测达120分贝。 无功控制范围小 饱和电抗器属于非线性元件，使得工作绕组的电流不能有效跟随控制绕组（励磁绕组）电流的变化而变化，也即补偿的无功功率有过补和欠补现象发生。为了抑制过补偿现象，设计时把控制电流限制为铁心完全饱和时电流的0.85以下，也就是说MCR的无功控制范围在0～85%之间，而不是0～100%之间。 应用 MCR型SVC在0.38kV可有效的配合电容投切较适用。在10kV ~ 35kV这个电压等级国外没有厂家作为产品生产，国内也几乎没有业绩。MCR型SVC设备技术门槛较低，损耗较大，在中压段应用很少。 二、TCR型SVC（静止型动态无功补偿装置) TCR+FC型SVC设备的原理 设备由TCR和 FC两部分组成，FC向系统提供固定的容性无功并滤除高压母线上的各次谐波；TCR为晶闸管串联电抗器装置，由控制系统实时跟踪负荷变化来改变晶闸管触发角从而向系统提供实时可变的感性无功。容性无功和感性无功的相位相反，二者相加将改变无功变化量，从而达到抑制电压波动、提高功率因数等作用。FC是直挂于高压母线下多组固定不变的滤波器，其滤波阻抗曲线固定不变，能将负荷变化过程产生的变化的谐波有效滤除，达到国标要求；TCR快速跟踪负荷变化（响应时间小于10ms）。 无功补偿原理图 图十 TCR+FC型SVC的无功补偿原理 -电网负荷产生的动态感性无功功率 -TCR设备提供的动态感性无功功率 -滤波器组（或电容器组）提供的固定无功功率 占地面积 由于TCR式SVC采用高压晶闸管阀组以及空心式相控电抗器，以及FC滤波器组，因