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* 自发辐射---LED工作原理 如果把电流注入到半导体中的P-N结上,则原子中占据低能带的电子被激励到高能带; 当电子从高能带跃迁到低能带时,将自发辐射出一个光子,其能量为 hv。 电子从高能带跃迁到低能带把电能转变成光能的器件叫 LED。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 自发辐射的光是一种非相干光: 当电子返回低能级时,它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此,这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向,它们可以向各自方向传播。 同时,高能带上的电子可能处于不同的能级,它们自发辐射到低能带的不同能级上,因而使发射光子的能量有一定的差别,使这些光波的波长并不完全一样。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * LED的主要工作原理对应光的自发发射过程,因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差,本身的响应速度又较慢,适用于各种照明中。 发光二极管LED Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. LD与LED的比较 半导体发光二极管(LED)与半导体激光二极管(LD)在结构上的根本区别就是它没有光学谐振腔,形不成激光。它的发光限于自发辐射。它发出的是荧光,而不是激光。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 面发光二极管 优点:LED到光纤的耦合效率高 P(q) = P0cosq 载流子注入 25 mm 5 mm Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 边发光二极管 优点:与面发光LED比,光出射方向性好 缺点:需要较大的驱动电流、发光功率低 载流子注入 50~70 mm 100~150 mm 30o 120o Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量,大小为禁带宽度Eg,由光的量子性可知: hf= Eg 其中h为普朗克常量6.63×10^-34J·s ,f为频率 据 f=c/λ(c=3*10^8m/s ) 可得 λ=hc/Eg ≈1240/Eg(mm) LED发射波长的公式推导 Ec Ef Ev 导带 禁带 Eg 价带 满带 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm) 式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。 Ec Ef Ev 导带Ec 禁带Eg Eg 价带Ev 满带Ec Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 C
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