GaN基LED外延生长简介.ppt

* * GaN基LED外延生长 2/18 内容 GaN材料的特性 GaN基LED的基本结构 蓝宝石衬底上GaN基LED外延材料的生长 GaN基LED外延的晶体评测技术 5/28 1、GaN材料的特性 3/18 GaN基材料属于Ⅲ/Ⅴ族半导体，是继Si基半导体和GaAs、InP基半导体之后的新一代宽禁带半导体材料。GaN基材料属于直接带隙半导体材料，因此非常适合制作发光器件。 O EC EV 能量 O EC EV 能量 能量动量 能量动量 直接带隙情况 间接带隙情况 5/28 1、GaN材料的特性 4/18 与传统第一、二代半导体材料的性质差异： 1. GaN基材料热导率接近于Si，相比GaAs材料高的多。 2. GaN基材料熔点相比传统半导体材料高很多，此外GaN基材料具有十分良好的抗腐蚀性能和很高的硬度，这使得它能适应在高温等恶劣环境下工作。 3. GaN具有很高的电子饱和漂移速度，因此可制作高频、高速器件。 4. GaN击穿电场比其它半导体材料高，可在更高的偏置电压下工作，能满足高功率的工作要求。 5. 含In的GaN基材料具有独特的发光特性。 5/28 1、GaN材料的特性 5/18 极化特性： GaN基材料属于Ⅲ/Ⅴ族半导体，但它与常用的GaAs基等材料的闪锌矿结构不同，它既具有闪锌矿结构又具有纤锌矿结构。纤锌矿结构的GaN与传统的Ⅲ/Ⅴ族半导体材料有许多不同之处，其中一个最重要的不同就是纤锌矿结构的GaN在[0001]方向是有极性的。 在闪锌矿结构中存在对称面，正负离子的中心相互重合，所以材料没有极化产生。而对于纤锌矿结构，为非中心对称结构，在[0001]方向并不存在对称面，正负离子的中心有所偏离，因而产生极化，这个就称为自发极化。在宏观的平衡状态下，它的总极化电荷并不为零，所以GaN基材料表现为极性材料。 纤锌矿结构中也存在非极性面，如m(1-100)、a(11-20)都是GaN材料的非极性面。 5/28 1、GaN材料的特性 6/18 镓极性和氮极性比较： Ⅲ/Ⅴ族氮化物系列材料中，传统MOCVD生长出的外延层，其晶体的堆叠方式可能是纤锌矿结构，也可能是闪锌矿结构。而目前生长GaN基材料大部分在蓝宝石的[0001]方向上生长，具有纤锌矿结构，因此这些GaN基材料都是有极性的。这时的GaN材料有两种，一种是镓极性的，一种是氮极性的。这两种材料虽然都是纤锌矿结构，但是物理性质、电学性质却有很大的区别： 1. 镓极性GaN外延层易于实现表面平整的晶体，而氮极性GaN表面则布满了六角形的金字塔结构的粗糙表面。 2. 稳定性差异：两种不同极性的GaN的化学腐蚀特性恰好相反，镓极性GaN耐酸碱，氮极性GaN能被KOH溶液所腐蚀；氮极性GaN在950-1000℃时升华，而镓极性GaN在1000℃以上时仍然是稳定的。 3. 利用MOCVD生长GaN材料时，碳、氧、铝等杂质更容易进入氮极性的GaN薄膜，因此氮极性GaN中的载流子浓度远高于镓极性GaN，即有背景掺杂浓度相对高得多。同时，镓极性GaN相对于氮极性GaN具有更高的电子迁移率。 4. 镓极性GaN更易于实现Mg掺杂，其掺杂效率为氮极性GaN的30倍；做金属p型GaN欧姆接触时，镓极性GaN的接触电阻比氮极性小了两个数量级。 从以上两种极性GaN基材料性质对比，镓极性GaN相比氮极性GaN具有更好的外延质量和电学性能，因此制取高质量GaN基半导体器件，通常在外延生长过程中控制镓极性GaN。 7/18 2、GaN基LED的基本结构 GaN LED外延的结构 8/18 3、蓝宝石衬底上GaN基LED外延材料的生长 GaN基外延的技术难点 GaN基LED外延工艺还不够成熟，依然存在许多技术难点： 1. 衬底和GaN晶格失配和热失配大，导致外延生长出来的GaN有较多的晶格缺陷、位错和翘曲等；(见表一) 2. NH3裂解温度很高，GaN材料的生长温度下，只有小部分NH3被裂解； 3. GaN材料的生长温度很高，必须考虑热扩散造成的影响； 4. TMAl等源与NH3之间存在着严重的预反应； 5. 较难获得高载流子浓度的p-GaN材料。由于GaN体材料最常见的点缺陷是N空位，呈现出N型特征，要在GaN材料中获得p-GaN，需要注入较多的Mg原子，但Mg原子大部分是作为间隙原子进入GaN材料中去的，在GaN材料中能级位置较深，其激活能为170meV，能被有效激活的原子占比很少，高迁移率的p-GaN较难获得(在AlGaN材料中，Mg的离化率更低)； 6. 较强的极化效应影响。GaN基材料存在较大的自发极化，在GaN基材料中构成的异质结构，存在极强的压电极化效应。如MQW中阱InGaN和垒GaN晶格常数不匹配，存在着压电场