半导体的基本特性辩析.ppt

集成电路的制造步骤 ★硅片制造 ★硅片制备 ★硅片测试/拣选 ★装配与封装 ★终测 ★硅片制备 在这一阶段，将硅从沙中提炼并纯化，经过特殊工艺生产适当直径的硅锭，然后将硅锭切割。 ★硅片制造 自硅片开始的微芯片制作是第二阶段，称为硅片制造。裸露的硅片到达 硅片制造厂，然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的一套集成电路。 ★硅片测试/拣选 硅片制造完成后，硅片被送到测试和拣选区，在那里进行单个芯片的探测和电学测试，拣选出不合格的芯片。 ★装配与封装 硅片拣选和测试后，进入装配与封装，以便把单个芯片装在保护壳内。硅片的背面进行研磨以减少衬底的厚度，一片厚的塑料薄膜被贴在每个硅片的背面，然后，在正面沿着划片线用带金刚石的锯刃将每个硅片上的芯片分开。 ★终测 为确保芯片的功能，要对每一个被封装的集成电路进行测试，以满足制造商的电学和环境的特性参数。 半导体材料的基本特性 半导体的概念 从导电特性和电阻率来分： 超导体: 大于106(?cm)-1 导体: 106~104(?cm)-1，容易导电的物体。如：铁、铜等 绝缘体: 小于10-10?cm)-1，几乎不导电的物体。如：橡胶等 半导体: 104~10-10(?cm)-1 ，导电性能介于导体和绝缘体之 间的物体，在一定条件下可导电。 原子结构 由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。 电子能级 原子级的能量单位是电子伏特，它代表一个电子从低电势处移动到高出1V的的电势处所获得的动能。 价电子层 原子最外部的电子层就是价电子层，对原子的化学和物理性质具有显著的影响，只有一个价电子的原子很容易失去这个电子，有7个价电子的原子容易得到一个电子，具有亲和力。 共价键 不同元素的原子共有价电子形成的粒子键，原子通过共有电子来使价层完全填充变得稳定。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。 离子键 当价电子层电子从一种原子转移到另一种原子上时，就会形成离子键，不稳定的原子容易形成离子键。 半导体分类 本征半导体：几乎不含任何杂质的半导体。 自由电子 当导体处于热力学温度0?K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 概念：掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体：在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，氮 自由电子—多数载流子（由两部分组成） 空穴——少数载流子 杂质半导体 P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 自由电子—少数载流子 空穴——多数载流子（由两部分组成） 能带结构 电子的共有化运动 ——满足能量最低原理 ——泡利不相容原理 能带结构的形成 两个原子靠近时，电子波函数将重叠。这时泡利不相容原理不允许一个量子态上有两个电子存在，于是一个能级将分裂为2个能级，N个原子靠近时，一个能级将分裂为N个相距很近的能级，形成能带 价带：被价电子填充的能带 导带：被自由电子填充的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 能带的特点： 能带的宽窄由晶体的性质决定,与所含的原子数无关。 能量较高的能带比较宽，能量低的较窄。 每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关。 能带中能量不连续 常见半导体——硅 硅是一种元素半导体 ，4个价电子，正好位于优质导体和绝缘体之间。 选择硅的主要理由： 硅的丰富度 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 更高的工作温度范围 氧化硅的自然形成 半导体产业的发展 半导体产业发展的基础是在20世纪上半业开发的技术上培育出来的，关键技术是在工业和学术网中获取的。 半导体产业 半导体发展趋势 半导体发展趋势——微电子时代 电子时代是由电子真空阶段延续到固体电子阶段的。 当分立器件逐步过渡到集成电路阶段时，出现了诸如半导体器件集成化、电子系统集成化、电子系统微型化，也就出现了微电子时代 电子技术的发展 电子技术的发展是以电子器件的发展而发展起来的。电子器件的发展历经4个阶段： ★电子管 1906年，诞生第一只电子管 ★晶体管 1947年，出现了半导体三极晶体管 ★集成电路 1960年12月，成功制