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2016-12-30 发布于北京
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§16.7 位移电流 Ic(t) C q(t) (A) Ic(t) (B) E(t) 图（A）、（B）两种情况导线周围的磁场相同，说明电容器C中的变化电场也像电流那样能激发磁场。下面进行定量的分析：有问题联系qq1366715589 Maxwell认为：（这是一种假设性的推广）。高斯定理也适用于变化电场一、Maxwell位移电流假说 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 定义: 位移电流位移电流密度引入 Id 后，在上述情况下有 Ic = Id . 这样，非稳恒情况“电流”仍连续。 ——Maxwell位移电流假说对任意截面S，变化的电场相当于电流极板间总位移电流 q(t) S板 C S ′ Ic(t) D(t) =ΦD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、安培环路定理的推广——全电流定律 1、全电流全电流密度传导电流密度位移电流密度通常导体中：介质中：当频率很高时， Ic 与Id 都须考虑。在整个电路中，全电流总是连续的。 Maxwell提出： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、全电流定律 Maxwell认为Id与Ic按相同的规律激发磁场，也具有稳恒磁场安培环路定理的形式。 ——全电流定律线与Id流向成右螺关系，而Id流向即的方向。线与成右螺关系。穿过回路电流的代数和 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三、 Id 与Ic的区别：在磁效应方面二者相同；在真空中， Id只对应于变化的电场，无自由电荷的定向运动，无焦耳热。例1.对于位移电流，有下述四种说法，请指出哪一种说法正确：选（A） (A) 位移电流是指变化电场。 (B) 位移电流是由线性变化磁场产生的。 (C) 位移电流的热效应服从焦耳——楞次定律。 (D) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理。解： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 四、平板电容器中位移电流的方向和大小 1、方向：可根据“全电流连续”或位移电流密度的方向来判断。 + + + + - - - - ε R Ic 充电 + + + + - - - - R Ic 放电 Id Id 2、大小： ——极板间总位移电流或真空中 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例2.(指导p213.69) 圆形平板电容器，从q=0开始充电，试画出充电过程中，极板间某点P处电场强度的方向和磁场强度的方向。 i P + + + + - - - - 全电流连续，所以i = id . id E B id与 i磁效应相同,所以P点磁场强度向里. 例3. 一平板电容器的两极板都是半径为5.0cm的圆导体片，在充电时，其中电场强度的变化率为dE/dt=1.0×1012V/m·s。（1）求两极板间的位移电流；（2）求极板边缘的磁感应强度。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 解： (1) (2) 以极板边缘线作为安培回路L,则 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Pro