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- 2016-12-30 发布于贵州
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习题 1、半导体静态存储器SRAM?的存储原理是()。? A、依靠双稳态电路? B、依靠定时刷新? C、依靠读后再生? D、信息不再变化? DRAM存储器因存在电荷泄漏问题,需要定期刷新,其刷新方式有 ? 集中式刷新,分散式刷新,异步式刷新 2、某一RAM芯片,其容量为1024×8位,除电源端和接地端外,连同片选19根和读/写信号20该芯片引出腿的最小数目为( ) A 23 B 20 C 17 D 19 某DRAM芯片,其存储容量为512K(n地址线)×8位(数据线),该芯片的地址线和数据线的数目是___。 A.19 ,8???? B.512, 8?? C.18, 8????? D.8, 512 某计算机字长32位,其存储容量为4MB,若按半字编址,它的寻址范围是______。 A.16M??? B.4M??? C. 2M??? D.1M 4M=2(22)=32*2(17)半字寻址把32换做16.结果为, 2(17)*16=2(21)=2M 3、双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构,其中前者采用(?空间 )并行技术,后者采用(? 时间)并行技术。 4、在主存和CPU之间增加Cache的目的是( )。 A 扩大主存的容量 B 增加CPU中通用寄存器的数量 C 解决CPU和主存之间的速度
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