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练习1 半导体和二极管 在绝对零度（0K）时，本征半导体中________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 半导体中的载流子为_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 N型半导体中的多子是________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 P型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于________。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 在下列说法中只有_________说法是正确的。 A. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。 B. 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。 C. P型半导体带正电，N型半导体带负电。 D. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。 在下列说法中只有________说法是正确的。 A. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 B. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。 C. PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。 当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流的值将是_________。 A. I = 2mA B. I 2mA C. I 2mA D. I = 0mA 在如图所示电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V，当V1=5V、温度为20℃时，I=2μA。若电源电压由5V增大到10V，则电路中的电流 I 约为________。 A. 10μA B. 4μA C. 2μA D. 1μA 如图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是________。 A. b B. c C. a 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为________。.(设二极管的导通压降为0。) A. 5.6V B. -4.3V C. -5V D. 6V 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0。) A. -5V B. 5V C. -5.7V D. 5.7V 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为________。.(设二极管的导通压降为0.7V。) A. 0V B. -0.7V C. -1.7V D. 1V 二极管的双向限幅电路如图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出vo的波形为________。 A. a) B. b) C. c) D. d) 电路如图所示。试估算A点的电位为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 6.7V B. 6V C. 5.7V D. -6.7V 电路如图所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 6.3V B. 3.9V C. 5.7V D. 6.7V 在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是________。 管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流 a) 0.5mA 1μA b) 5mA 0.1μA c) 2mA 5μA A. a) B. b) C. c) D. d) 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 0.7V B. 0.3V C. 6.3V D. 5.7V 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为_________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 1.7V B. -1.7V C. -2.3V D. 2.3V 判断右图电路中各