《半导体材料第4讲-晶体生长.pptVIP

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3－2　硅、锗单晶的生长 一、获得单晶的条件 ??? 1、在金属熔体中只能形成一个晶核。可以引入籽晶或自发形核，尽量地减少杂质的含量，避免非均质形核。 ??? 2、固—液界面前沿的熔体应处于过热状态，结晶过程的潜热只能通过生长着的晶体导出，即单向凝固方式。 ??? 3、固—液界面前沿不允许有温度过冷和成分过冷，以避免固—液界面不稳定而长出胞状晶或柱状晶。 ??? 在满足上述条件下，适当地控制固—液界面前沿熔体的温度和晶体生长速率，可以得到高质量的单晶体。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 生长硅、锗单晶的方法很多，目前： 锗单晶主要用直拉法， 硅单晶常采用直拉法与悬浮区熔法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 工艺 直径 纯度 少数截流子寿命 电阻率 位错密度 用途 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体材料 Tel: Email：zxdlab@163.com Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第三章 晶体生长 制造半导体器件的材料，绝大部分是单晶体，包括体单晶和薄膜单晶，因此，晶体生长问题对于半导体材料研制，是一个极为重要的问题。 本章主要内容： 1、晶体生长的基本理论 2、熔体中生长单晶的主要规律 3、单晶的生长技术 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶体生长理论基础 晶体的形成方式： 晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。 由气相、液相转变成固相可形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。 晶体生长方式分三大类： 固相生长 液相生长，包括溶液生长和熔体生长 气相生长 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 天然晶体的生长 1．由气相转变为固相： 从气相转变为固相的条件是要有足够低的蒸气压。在火山口附近常由火山喷气直接生成硫、碘或氯化钠的晶体。雪花就是由于水蒸气冷却直接结晶而成的晶体。 火山口生长的硫(S)晶体 夏威夷火山 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2. 由液相转变为固相： 1.从熔体中结晶,即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体； 2.从溶液中结晶,即溶液达到过饱和时，析出晶体； 3.水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。 天然盐湖卤水蒸发 珍珠岩 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3．由固相变为固相： 1).同质多相转变， 某种晶体在热力学条件改变的时候，转变为另一种在新条件下稳定的晶体； 2).原矿物晶粒逐渐变大，如由细粒方解石组成的石灰岩与岩浆接触时，受热再结晶成为由粗粒方解石组成的大理岩； 细粒方解石 大理岩 Evaluation only. Created