第五章半导体存储器精选.ppt

第五章 半导体存储器 本章学习目标 半导体存储器的分类 半导体存储器的主要指标 存储芯片的介绍 存储系统的设计 存储器的连接与扩充 1、存储器的分类 存储器是用来存储微型计算机工作时使用的信息（程序和数据）的部件，正是因为有了存储器，计算机才有信息记忆功能。 越靠近CPU的存储器速度越快而容量越小。 内存与外存：外存能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据就会丢失 。 外存平均访问时间ms级 硬盘9~10ms 光盘80~120ms 内存平均访问时间ns级 SRAM Cache1~5ns EPROM存储器100~400ns 半导体存储器的分类 随机存取存储器 特点：存储单元的内容可读出或写入，但其保存的信息断电后不再保存，即具有“易失性”。 SRAM的基本存储电路，在有电源条件下，存入的数据可一直保存。 DRAM的基本存储电路利用MOS管和电容存储信息，电容泄漏须刷新。 SRAM的特点：读写速度快，通常用来做Cache（高速缓冲存储器） DRAM的特点：集成度高，功耗小；需要刷新电路，使用较麻烦；存取速度慢，主要用来做内存。 只读存储器 特点：在一般工作状态下，ROM中的信息只能读出，不能写入。但其保存的信息断电后仍然保存，即具有“非易失性”。常用于存放固定的程序和参数表，如微机开机的引导程序等。 ROM的写入有不同方式： 1）生产时确定其内容——掩模ROM 2）由用户编程确定，只能一次编程——PROM 3）由特定电路（写入器）擦除及写入——EPROM 4）电擦除及写入——EEPROM，Flash Memory 2、半导体存储器的主要指标 存储容量：一块存储器芯片所能存储的二进制位数。 存储器容量＝存储单元数×每单元数据位数 如：存储芯片有2048个单元，每单元存放8位二进制数，则容量为2048×8位 ，即2KB。 [例] Intel 2114芯片的容量为1K×4位，Intel 6264芯片为8K×8位。 存取速度：从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据需要的时间 其他指标 : 集成度、功耗、可靠性、价格等。 3、存储芯片的介绍 SRAM基本的存储电路 一个基本存储电路能存储一位二进制数，而一个八位的二进制数则需八个基本存储电路，称为一个存储单元。每个单元规定一个地址编号。 存储芯片内部基本结构 典型的静态RAM芯片： 6116（2K×8位）、6264（8K×8位）、62256（32K×8位）、628128（128K×8位）等。 [例] 6116芯片的容量为2K×8位：有214个基本存储电路，有211个存储单元，形成128×16个存储阵列。需要11根地址线，7根用于行地址译码，4根用于列地址译码，可以选择2048个存储单元中的任意一个。每个存储单元有8位，是通过数据线写入或读出的。 4、存储系统的设计 1）存储芯片的选片 根据存储系统容量要求、应用场合、速度要求、价格、体积、功耗等方面综合考虑。 芯片类型选择：一般，小系统中多使用SRAM而DRAM的集成度较高多用于中、大系统中。掩模ROM、PROM成本低多用于较成熟程序，EEPROM、闪存则用于保存不常修改的数据。 2）存储器与CPU连接时，需注意的问题： CPU总线的带负载能力、CPU时序与存储器存取速度之间的配合、存储器组织的地址分配 5、存储器的连接与扩充 CPU与存储器的连接，主要是CPU的系统总线与存储器的连接方法，特别注意的是存储器芯片地址分配和片选端的处理。 存储器与系统总线的连接： 三总线结构：地址总线、数据总线、控制总线 1）地址总线：低位地址线：等于存储芯片地址线数目 高位地址线：用于选择不同的存储芯片 2）数据总线：8086：16位，8088：8位 3）控制总线：RD、WR、IO/M（M/IO） 存储器容量扩充方法 位数扩充 当实际存储芯片每个单元的位数和应用系统需要内存单元字长不等时采用的方法。 [例]用1K×4的RAM芯片扩充形成1K×8的存储系统： 所需芯片的片数：8/4=2 片 位数扩充 单元数扩充 当存储芯片上每个存储单元的字长已满足要求，但存储单元的个数不够，需要增加的是存储单元的数量。 [例]用2K×8的2716 EPROM存储器芯片组成8K×8的存储器系统 ： 所需芯片的片数：8K/2K=4 片 单元数扩充 用256×4位存储芯片组成1K ×8位RAM 存储器芯片片选端的处理